永光电化事业20周年 深耕碳化矽半导体元件专用研磨液
- 李佳玲/台北
SEMICON Taiwan 2017国际半导体展,是台湾每年半导体产业盛会,汇集世界顶尖半导体科技厂商参与。台湾连续6年蝉联全球最大半导体设备与材料市场,尤其半导体晶圆厂设备支出的成长动能,至 2017年结束后可望维持13%的成长率。
永光化学旗下的电子化学事业,长期耕耘半导体晶圆光阻剂、显影液、研磨液,自然不缺席今年SEMICON Taiwan 2017。伴随半导体产业的持续增长,永光化学旗下产品具备哪些优势?
永光电化事业20周年 诉求承诺、专业、定制优势
2017年不仅是永光化学成立的45周年,也是旗下电子化学事业成立20年。永光电化事业副总经理林昭文指出,「永光电化长年累积黄光化学开发经验,旗下产品包含光阻剂、显影液、研磨液、特殊油墨一应俱全。在品牌承诺上,诉求「Better Chemistry, Better Life」,希望成为全球电化产业的值得信赖夥伴。」
为了达到最终愿景的目标,目前永光化学的品牌架构,锁定在「承诺、专业、定制」三大优势。承诺方面,永光已获得DNV GL颁发 ISO 9001、14001证书,成为台湾第一家获得BCMS认证的化工企业,后续也获得ISO 22301等系统认证,建立六标准差品质管理系统。
专业部分,电化产品已经具有20nm化学品量产能力,更是全球六家国际大厂的光电、半导体制程材料合作厂商。针对国际大厂的在地化代工生产,其产能及产线逐年提升,证明永光技术能力已深受大厂信赖。
而在定制部分,要符合客户的制程条件,做出更好产品,永光已建立技术平台及验证系统,包含IC/LED/TP/CA PR/Slurry。每年投入研发人力占整个电化部门高达36%,专利获证累计48件。目前定制化的产品项目,包含低温多晶矽LTPS、图案化蓝宝石基板PSS、PMOLED的间隔层Rib光阻、LDI PR等,作为永光化学在客制化服务的核心能力。
因应半导体趋势 锁定碳化矽半导体高功率元件
永光化学从第一支电化事业产品G-line光阻开始,持续开发相关产品,并在研发技术精进之下,已完整建立G&I-line光阻版图。尤其应用在高频通讯基材的黄光微影制程,高分辨率I-line光阻剂与化学增幅型光阻,持续是2017年产品布局重点。因此从2016年至今,永光化学持续加强研发能量,完整布局半导体制程G、I-Line光阻剂产品版图,并完成供货给各大晶圆厂。
电化研发处处长篮伟仁则提到,2017年产品布局的另一支线,也就是因应环保意识抬头及电动车产业的发展,碳化矽(SiC)半导体高功率元件逐渐受到重视。永光也持续优化因应碳化矽、氮化镓(GaN)专用的基材研磨液,为新半导体时代来临做好准备。
针对碳化矽基板可搭配的研磨液,目前永光已与国内的SiC晶圆制造商合作,积极针对制程研发的定制化验证,在研磨/移除速率,以及晶圆表面平整度,其研磨速度、质量皆达到客户产品需求。
林昭文补充提到,永光化学最早主力把研发技术放在针对IC芯片前段制程,之后产品链也开始往后端封装制程产品移动。永光针对前后端制程皆提供完整产品组合与服务,希望为封装业者也提供光阻及显影液的配套整合方案,让制程呈现相对稳定的效果。目前也针对后端制程,正在积极开发感光型聚醯亚胺薄膜(PSPI)的技术研发。
因应2.5D到3D芯片堆叠技术 永光提供封装关键材料
另外,针对2.5D与3D芯片堆叠技术的演进发展过程,永光针对市场需要提供相关封装关键材料。篮伟仁解释,2.5D/3D芯片制作方案,须在生产过程导入晶圆矽穿孔(TSV)、芯片堆叠制程与新的立体结构封测方案因应。
因此实际开发2.5D/3D IC,仍包含多道高难度工序,如晶圆薄化处理、TSV制程凿穿晶圆进行功能芯片堆叠、高端覆晶封装方案,让Pillar、Bump可在更狭小的晶圆孔隙中顺利接合。
永光在封测使用的黄光化学品,从铜柱制程Cu Pillar到金凸块Cold bump皆有提供。金线路重布线制程RDL,所需的高深宽比化学增幅型光阻,及相对应的显影液,皆有提供完整多样的解决方案。因此在封装的光阻剂应用上,近年在技术上已有大幅的突破。
不缺席大陆市场 半导体展将展出系列亮点产品
目前永光集团主要产品销售地区所占比例,亚洲高达49%,其次是美洲18%、欧洲15%。尤其大陆又是高科技产业不可忽视的市场,所以针对大陆市场,林昭文提到,永光仍会针对当地的电化材料需求,持续提供新产线布局,而在既有产品,也将持续扩大顾客群及销售市占率。针对大陆在半导体、薄膜晶体管TFT产业的供应链合作,永光也将透过多方管道,不会缺席在地化材料及产线的布局。
2017 Semicon Taiwan半导体展,永光化学摊位在K区2142。将展出封测材料、高端I-line光阻、SiC研磨液等亮点产品。包括EPI 630高解析I-Line光阻剂,厚膜=0.75um解析可达0.34um;EPD 56,66厚膜光阻专用显影剂;EPP 110 DNQ Type,厚膜=25um,深宽比5,可用于电镀铜;ECA 150 CA光阻,厚膜=80um,深宽比10(低曝光能量),可用于电镀铜。
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