中微首台高选择比蚀刻设备交付　跨入先进3D元件制程

中微旗下Primo Domingo气相高选择比蚀刻设备首部机台，近日已交付中国半导体研发与制造客户。中微

中国半导体设备业者中微公司在高选择比蚀刻领域取得新进展，宣布旗下Primo Domingo气相高选择比蚀刻设备首部机台，近日已交付中国半导体研发与制造客户。

过去高端蚀刻设备市场主要由美国科林研发（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）及日本东京威力科创（TEL）等业者主导，此次首台设备交付，显示中微进一步追赶技术门槛较高的先进制程设备。

所谓高选择比蚀刻，是指设备能优先去除特定材料，同时尽量保留其他材料，降低蚀刻过程对周围结构的影响。随着芯片架构朝3D化发展，这项技术对闸极全环（GAA）晶体管、3D NAND及3D DRAM等新时代元件制程愈发重要。

以GAA晶体管为例，制程须选择性去除特定材料，形成纳米片周围的空间，同时保留作为电流通道的材料；3D NAND等存储器则须在深孔及复杂结构中维持蚀刻精度与均匀性。

中微公司表示，Primo Domingo针对相关制程需求开发，可在移除特定材料时降低对其他材料的影响，以符合复杂元件结构对加工精度、均匀性及制程稳定度的要求。

新款设备采用对称式反应腔体与最佳化气体流场设计，整合气体注入、温度及压力控制，并配置整合式气柜、耐腐蚀管路与特殊涂层材料，以及双制冷、双加热晶圆载台，以因应高活性制程气体及精密温控需求。设备另搭配Primo C6V3晶圆传输系统，可依不同制程需求配置主蚀刻腔与辅助退火腔。

中微公司表示，其整体蚀刻设备产品线已涵盖65纳米至3纳米及更先进制程，并支持存储器高深宽比蚀刻。根据公司技术数据显示，介电材料蚀刻深宽比可达60：1及90：1，矽蚀刻则可达140：1；双反应台电感耦合电浆（ICP）蚀刻技术的加工控制能力达0.2纳米。

此次首台设备交付，代表中微将高选择比蚀刻技术推进至客户端导入阶段，也为其拓展先进3D元件制程设备市场跨出一步。不过，设备交付给哪一家中国客户，中微并未具体透露。

截至2026年6月底，中微公司表示，已有逾8,800个反应台在全球220多条生产线投入量产，产品涵盖蚀刻、薄膜沉积及其他半导体制程设备。

 
责任编辑：蔡雨婷