长鑫存储HBM3良率仍卡25% 传TSV技术经验为硬伤
- 陈玟静／综合报导
中国DRAM龙头长鑫存储传虽已着手试产第四代高带宽存储器（HBM3），但初期良率始终难以提升，仍停留在25%，与竞争对手目前已达90%以上的HBM3良率相当悬殊。
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