英飞凌推出CoolSiC萧特基二极管2000 V

如今，许多工业应用可以透过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水准过渡。为满足这一需求，全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司推出CoolSiC萧特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立式SiC二极管。该产品系列适用于直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10A至80A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。
 
新款产品系列采用 TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，间隙距离为5.4 mm，再加上高达80 A的额定电流，显着提升了功率密度。它使开发人员能够在应用中实现更高的功率水准，而元件数量仅为 1200 V SiC解决方案的一半。这简化了整体设计，实现了从多电平拓扑结构到2电平拓扑结构的平稳过渡。

此外，CoolSiC萧特基二极管2000V G5采用.XT互连技术，大大降低热阻和阻抗，实现了更好的热管理。此外，HV-H3TRB可靠性测试也证明了该二极管对湿度的耐受性。该二极管没有反向或正向恢复电流，且具有正向低电压的特点，确保系统效能更优。

2000 V 二极管系列与英飞凌于 2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC 二极管2000 V产品组合将透过提供TO-247-2封装而得到扩展，该封装将于2024年12月推出。此外，英飞凌还提供了与CoolSiC MOSFET 2000 V匹配的闸极驱动器产品组合。

采用 TO-247PLUS-4 HCC 封装的 CoolSiC 萧特基二极管2000 V G5 系列及其评估板现已上市。了解更多信息，敬请浏览英飞凌官网了解更多。