中国DRAM追赶再进一步 长鑫存储成功导入High-k材料
- 蔡云瑄／综合报导
中国长鑫存储正把DRAM技术追赶推向材料与晶体管结构层级。产业研究机构TechInsights指出，长鑫存储已成功将高介电常数（High-k）材料量产应用于最新DRAM产品，触...
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