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创新力搭配完整产品布局 SEMICON 2024盛美展现强大技术能量

  • 尤嘉禾台北

Ultra C bev-p面板级先进封装边缘清洗设备。盛美
Ultra C bev-p面板级先进封装边缘清洗设备。盛美

IC尺寸走向微小化,架构也日趋复杂,在此态势下,清洗和电镀等关键制程设备的重要性与日俱增,在快速变化的产业环境中,盛美半导体持续透过独特清洗技术和先进电镀设备,协助客户强化产线效能,在SEMICON TAIWAN 2024中,就将展示其创新能力与完整解决方案技术成果,就可看出该公司在半导体设备领域的强大技术能量。

盛美成立于1998年美国硅谷,2005年正式落脚上海张江科技园区,以差异化国际竞争、原创创新策略,搭配完整的知识产权体系,开发出多款高品质半导体制程设备,包括全球首创的SAPS/TEBO万亿声波清洗技术和Tahoe单芯片槽式组合清洗技术,盛美2017年于美国NASDAQ挂牌,旗下产品也陆续为全球各大半导体客户采用,SEMICON TAIWAN 2024首次亮相的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备,Ultra C vac-p面板级负压清洗设备以及首次公开发布的面板级边缘蚀刻设备,即是该公司三大差异化创新点产品。

Ultra ECP ap-p面板级先进封装电镀设备。盛美

Ultra ECP ap-p面板级先进封装电镀设备。盛美

Ultra C vac-p面板级先进封装负压清洗设备。盛美

Ultra C vac-p面板级先进封装负压清洗设备。盛美

差异化创新技术进军面板级先进封装

近期,盛美通过推出两款面板级设备,成功进军高成长的扇出型面板级封装市场。在电镀领域,盛美首创推出的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用盛美全球首创的差异化自主研发的水平电镀,确保面板具有良好的均匀性和精度,并能有效减少不同电镀液之间的交叉污染,可作为具有微米及亚微米RDL和微柱的先进大型面板封装的理想选择。该设备兼容有机基板和玻璃基板,可用于铜柱、镍和锡银(SnAg)电镀、焊料凸块以及采用铜、镍、锡银和金电镀层的高密度扇出型(HDFO)产品。

在清洗领域,盛美的Ultra C vac-p面板级负压清洗设备利用负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物,可使清洗液到达狭窄的缝隙,对于小凸起间距(小于40微米)和大尺寸芯片也能有效处理,从而避免残留物影响器件性能。该设备已成功说明客户提升清洗效率并受到肯定。

在湿法蚀刻领域,盛美的Ultra C bev-p面板级边缘蚀刻设备利用盛美世界首创的差异化自主研发的技术,可同时对长方形面板的正反面边缘的电镀金属膜进行精准蚀刻,从而提高产品良率,该蚀刻设备可以处理翘曲10mm的面板边缘蚀刻。此外,盛美也布局了Panel显影设备和Panel Etch设备等,进一步完善扇出型面板级封装应用的产品线。

完整布局化身半导体客户后盾

除了强大创新能力外,盛美的完整产品布局,也是协助半导体客户提升良率与产能的重要助力。在清洗设备部分,盛美于2008年全球首创并推出高端单晶圆SAPS万亿声波清洗技术及设备,成功解决了万亿声波清洗能量在硅片表面均匀分布的产业难题。此技术在2011年获得全球大型IC制造客户采用,并荣获2020年度上海市科技进步奖一等奖。相较于国外同类非万亿声波清洗设备,SAPS设备在单步清洗的良率上高出约1%。

此外,SAPS的清洗效率比传统超声波清洗制程更佳,且不会造成额外的材料耗损或影响晶圆表面粗糙度。同为万亿声波技术的TEBO系列,可用于清洗3D IC内部结构线路,有效清除3D立体空间内的化学药剂与微小颗粒,该技术与公司正在研发中的超临界CO2乾燥技术配套使用,可作为未来3D微结构清洗的理想解决方案。此技术已获得专利保护至2040年,为盛美的重要技术。

盛美之后在此技术基础上,陆续开发出多款系列清洗设备,且清洗解决方案不仅限于万亿声波技术,例如Nano Spray技术,就是利用氮气物化二流体的水进行清洗。另一款Tahoe单芯片槽式复合清洗设备,整合了槽式和单芯片式清洗的优点,不仅效率高,更可节省50%~70%以上的硫酸用量,大幅降低化学品消耗和环境负担。多样化技术让盛美可针对材料、制程的不同,提供最适化清洗方案,目前技术已涵盖90%以上的半导体清洗制程环节,应用范围包括逻辑、存储器、功率元件等多种半导体制程,是当今世界半导体清洗设备公司中产品工艺涵盖最广的公司之一

电镀设备方面, 盛美的ECP map电镀设备是国内首台前段制程高端铜镶嵌互连电镀设备,也使盛美成为全球少数掌握芯片铜镶嵌互连电镀铜技术核心专利并实际量产的厂商之一。盛美的ECP map可满足55nm、40nm、28nm及20~14nm以下制程节点的前段铜镶嵌互连双重镶嵌制程需求,已成为全球第二前道电镀设备供应商,技术已达到国内领先和国际先进水准。

在热制程设备领域,盛美的Ultra Fn A为新型热原子层沉积(ALD)立式炉管设备,可沉积氮化矽(SiN)和碳氮化矽(SiCN)薄膜。目前主要应用于28纳米逻辑制程,用于制造侧壁间隔层(spacer)。此外因应成熟制程需求,盛美推出了Ultra Pmax电浆体增强化学气相沉积(PECVD)设备,主要用于逻辑和存储器芯片制造。此设备拥有自主知识产权的腔体、气体分配装置和晶圆承载座设计,提供单腔体和多腔体两种配置,可灵活因应不同产能需求。

盛美在半导体设备领域已有完整全面布局,从前段制程到后段封装,从成熟制程到先进制程,皆有对应解决方案。未来将透过完整多元的产品线搭配创新能力,持续协助客户强化竞争优势,掌握庞大的半导体商机。


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