旺宏五篇论文发表于IEDM

被视为微电子界奥林匹克盛会的国际电子元件大会IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)，每年皆吸引全球各地最杰出的研究成果在会中发表，该会议除了提供技术交流平台之外，同时亦为展现研发实力的橱窗。旺宏电子于2009 IEDM共发表了六篇技术论文，若以第一作者(First Author)计算，旺宏则有五篇论文发表，篇数居台湾业界及学术研究机构之冠，在全世界之业界、学界中也属名列前茅。

旺宏从2001年开始于IEDM发表技术论文，近年来获选篇数持续成长，今年的发表篇数为历年来最高，六篇论文约占台湾总发表篇数二十二篇的三成。在IEDM大会「Memory Technology-Flash Memory 」的讨论主题所获选之七篇论文中，旺宏有三篇在会中发表，囊括Flash Memory半场的讨论内容。 六篇技术论文，其中一篇为IEDM大会特别邀请旺宏发表的专文(Reliability of Barrier Engineered Charge Trapping Devices for Sub-30nm NAND Flash，论文编号：31.5)，主要是探讨未来采用charge trapping技术为主流的非挥发性存储器，在微缩至30纳米以下所可能面临的问题及挑战，并提出了极为前瞻的解决方案。其他技术论文则分别针对采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor)作为未来发展3D存储器的可行性，以及有关相变化存储器的可靠性模式(Reliability Model)等主题进行深入的探讨。

2009 IEDM于上月7 日至9日在美国巴尔的摩(Baltimore)举办。IEDM自1955年以来已举办五十五届，每年会中皆有来自世界各地包括半导体设计、制造、模块及电子元件等领域最杰出的研究成果发表，并预测未来的发展趋势。与会者皆是国际级领导大厂，大会每年在上千件投稿中，评选出约250篇来自世界各地最新且深具影响性之研究成果在会中发表。