北方华创蚀刻技术突围 中国3D DRAM开发EUV替代方案
- 李佳翰／综合报导
中国半导体设备商北方华创日前在IEEE期刊公布研究成果，宣称已开发出一套用于3D DRAM的双步骤蚀刻（etching）技术，并在64层结构中实现较高的蚀刻均匀性（Unifor...
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