中国DRAM追赶再进一步 长鑫存储成功导入High-k材料
- 蔡云瑄／综合报导
中国长鑫存储正把DRAM技术追赶推向材料与晶体管结构层级。产业研究机构TechInsights指出，长鑫存储已成功将高介电常数（High-k）材料量产应用于最新DRAM产品，触...
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
