超赫科技携手日本NTT-AT签署MOU深化RF与Power半导体战略合作

超赫科技携手日本NTT-AT签署RF与Power半导体战略合作MOU（右为超赫总经理吴展兴，左为 NTT-AT本部长界义久）。超赫科技

新创IC设计公司超赫科技近日宣布，已正式与日本电信集团NTT旗下专注在前瞻技术的NTT-AT（NTT ADVANCED TECHNOLOGY CORPORATION）签署合作备忘录（MOU）。双方将聚焦于三五族化合物半导体技术，规划从「上游磊晶开发」、「中游产品设计开发」到「下游市场拓展」的整体产业链合作。

以Power半导体为深化起点  RF合作同步并进

本次战略合作旨在结合超赫科技与NTT-AT的核心技术优势，共同因应全球电动车、车用电子、绿能、AI服务器及高频通讯（如5G Advanced、6G及卫星通讯）市场的发展趋势。双方在具体业务推进上已建立沟通机制，逐步开展两大领域的技术与产品布局：

1.功率（Power）半导体逐步深化：双方以此作为首波合作的核心起点，结合NTT-AT在三五族化合物半导体（如GaN）的磊晶材料技术，以及超赫科技在功率元件、芯片领域的设计能力，共同开发高效能、高可靠度的电源管理解决方案，进一步导入新能源、AI与工业应用市场。

2.射频（RF）半导体同步展开：除了功率领域的进展，双方在射频半导体领域的合作也已同步启动。结合超赫科技在射频芯片与天线模块（AiM）的设计经验，以及NTT-AT的三五族化合物半导体长晶技术，共同研发适用于5G Advanced、6G及卫星通讯、无人机、机器人等领域的射频元件。

发挥超赫「磊晶结构设计」实力  完备产业链合作模式

本次合作不仅止于单一项目的开发，超赫科技与NTT-AT期望建立跨越产品周期的深度合作模式。在这项合作中，超赫科技将运用其「磊晶结构设计」核心能力，作为推动双方技术对接的重要引擎。

传统半导体芯片的效能，长期受制于材料规格与磊晶成长瓶颈。超赫科技打破常规，凭藉在元件材料物理与磊晶结构的自主研发实力，直接从源头进行精准设计与根本优化，彻底颠覆既有技术限制，释放芯片的极致效能。

透过将「超赫的磊晶结构设计」与NTT-AT的磊晶成长技术相结合，这种上下游一体化的合作模式，将有助于从基础材料层面提升芯片的整体效能，并与中游的产品设计开发无缝对接。未来，双方亦规划透过各自的市场代理，将产品导入国际供应链，开创互利共赢的局面。

迎向AI、绿能与前瞻通讯发展契机

随着全球AI（人工智能）数据中心的成长、数码转型与净零碳排趋势，高效能的功率与射频三五族化合物半导体已成为关键的技术资源。尤其在AI服务器对供配电效率与散热效能的严苛要求、绿能储电系统的高效转换需求，以及次时代5G/6G与卫星通讯对高频信号的标准下，超赫科技期盼以自身技术，为次时代AI算力、绿色能源与前瞻通讯生态提供支持。

未来，超赫科技与NTT-AT将透过已成立的联合工作小组，持续深化具体的磊晶规格对接与产品发展蓝图（Roadmap）规划，共同为全球客户提供具前瞻性与可靠性的技术服务与解决方案。

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