科林研发ALTUS Halo实现钼的原子层沉积　开启半导体金属化的新时代

Lam Research科林研发推出ALTUS Halo─利用金属钼的特性来生产先进半导体的原子层沉积（ALD）设备。藉由多项专利创新技术，ALTUS Halo可为先进半导体元件提供卓越的低电阻率金属填充、以及无空隙钼金属化的高精度沉积。

ALTUS Halo目前正与所有领先的芯片制造商进行验证和试量产，它标志着半导体金属化新时代的转折点，将为未来人工智能、云端运算和下一代智能元件所需的先进存储器和逻辑芯片的微缩奠定基础。

ALTUS Halo是科林研发ALTUS产品系列的最新成员，也是其差异化产品组合的一部分，可协助芯片制造商克服业界一些最困难的微缩挑战。此外，科林研发亦同步发表业界最先进的导体蚀刻机台Akara。

随着下一代应用对效能的要求持续提高，对更先进半导体和新制造流程的需求也不断增加。现今，金属的原子级沉积对所有先进芯片的制造已至关重要。由科林研发率先开发的钨原子层沉积技术，二十多年来一直是用于接点和线路沉积和无空隙填充的主要金属化技术。

然而，为了推动未来NAND、DRAM和逻辑元件的微缩，芯片制造商需将金属化技术推向超越目前钨所能达到的水准。藉由ALTUS Halo的推出，科林研发将引领半导体产业从钨转型到钼的过程。

科林研发全球产品事业群资深副总裁Sesha Varadarajan表示，以科林研发深厚的金属化专业技术为基础，ALTUS Halo是20多年来原子层沉积领域的最重大突破。

结合科林研发Quad-Station模块架构和ALD技术的新进展，可为大量生产提供精准的低电阻率钼沉积－这是新兴和未来芯片突破的关键要求，包括1,000层3D NAND、4F2 DRAM和先进的环绕式闸极逻辑元件。

半导体元件的运作需透过电子信号快速通过导线（例如3D NAND字元线）来发送命令。这些纳米级导线是经由蚀刻制成的，当不能使用铜时，传统上是用钨来填充，以创建必要的连接。金属电阻率越低，信号速度就越快。

此外，在传统的钨布线中，需要增加额外的阻障层以防止不必要的电子相互作用。随着NAND、DRAM和逻辑元件微缩到更复杂架构像是3D整合，电子信号必须透过更严格的连接传输。这增加了潜在的瓶颈并使速度变慢，而且在某些情况下还可能发生电子短路。

钼是这些应用和未来应用的理想金属，因为它在纳米级线路中的电阻率比钨低，而且不需要粘附层或阻障层，可减少制程步骤，提高生产效率并有助于提升芯片速度。

凭藉着数十年的金属化和先进开发专业，以及透过创新的沉积技术，科林研发率先在大量生产中使用钼的原子层沉积技术，并使其成为可行方案。在大多数情况下，ALTUS Halo可提供比传统钨金属化多50%以上电阻改善。

ALTUS Halo提供半导体产业最精确、最先进的钼沉积技术。ALTUS Halo机台系列针对一系列金属化需求进行了最佳化，透过化学和导热的灵活性以及电浆作用于对温度敏感的元件应用，实现由下而上选择性沉积或等涵盖性的填充。

此技术已获得领先的量产3D NAND制造商的初期采用，这些制造商在韩国和新加坡均设有晶圆厂，亦在先进的逻辑晶圆厂中获得采用，目前与DRAM客户则持续进行开发。

美光科技NAND开发企业副总裁 Mark Kiehlbauch 表示，钼金属化的整合使美光科技能够率先向市场推出I/O带宽和存储容量的最新时代NAND产品。科林研发的ALTUS Halo设备使美光科技将钼投入量产成为可能。