雷射黑神话 帆宣「钻」进TGV重要制程

帆宣独家TGV，业界首创DOE设计  升级中介层材料。帆宣

帆宣经过长时间与国内外顶尖技术合作， 提出业界最新的Laser-Induced Deep Etching（LIDE）解决方案对应TGV; 此套方案领先业界，为独有的雷射光束整形DOE设计，取代传统Bessel Beam，传统的Bessel beam直径大约1~2um，帆宣最新DOE设计可以达到直径数十微米 Bessel Beam，搭配高精密平台控制系统，支持运行间高速Trigger laser，提高throughput，成功有效降低锥角（taper angles），并接近垂直玻璃表面，更可让湿蚀刻TGV 径深比（Aspect Ratio）达1:10以上。帆宣改质区域可提高蚀刻选择比，雷射改质直径大又能让蚀刻液快速进入孔内二次LIDE制程，可提高真圆度达90%以上，降低玻璃的残留应力。

随着生成式AI带动服务器发展，AI芯片需要有强大GPU运算能力、3D-SoC和HBM存储器系统的整合需求，高频信号性能要求较高，加上芯片之间互联与接脚IO数量增加，在高端封装产业中，TGV成为未来备受期待的中介层材料，帆宣推出的LIDE解决方案， 进阶TGV低介电系数、高电阻率、IC运算高频信号损耗小、表面平整等优势，这也是载板产业积极开发的重要方向，未来有机会取代现有制程中介层-玻璃纤维复合材料。