英飞凌宣布新一代CoolGaN晶体管系列采用8寸晶圆制程

英飞凌科技股份有限公司宣布推出两款新一代高电压 （HV）与中电压（MV）CoolGaNTM产品，让客户可以在更广泛的应用领域中，采用40V至700V电压等级的氮化镓（GaN）装置，推动数码化与低碳化进程。这两项产品系列均由英飞凌位于马来西亚居林（Kulim）以及奥地利菲拉赫（Villach）据点生产，采用英飞凌内部高效能的8寸晶圆制程制造。借此，英飞凌扩大了CoolGaN的优势与产能，在GaN装置市场中确保了强大的供应能力。而根据Yole Group预测，GaN市场在未来五年内，将以46%的年复合成长率 （CAGR）成长。

英飞凌电源与传感系统事业部总裁Adam White表示：「继2023年英飞凌收购GaN Systems并以此为基础，今天，我们再度在CoolGaN产品宣布了新的进展，为客户带来全新的效率和性能水准。新一代CoolGaN系列高电压及中电压产品不仅体现了英飞凌的产品优势，更完全采用8寸晶圆制程制造，展现GaN快速扩展至更大晶圆制程的能力。我很高兴看到我们的客户能够利用新一代GaN实现各种颠覆性的应用。」

全新650V G5系列产品的适用范围涵盖消费性、数据中心、工业及太阳能应用，是英飞凌新一代GIT型高电压产品。采用8寸制程的第二项新系列为中电压G3装置，包括电压等级60V、80V、100V和120V 的 CoolGaN晶体管，以及40V双向开关（BDS）装置。中电压G3产品的目标应用包含马达驱动、电信、数据中心、太阳能与消费性应用。

CoolGaN 650V G5预计将于2024年第4季上市，中电压CoolGaN G3则将于2024年第3季开始供应。目前已开始提供样品，详细信息请浏览英飞凌官网。