爱德万测试发表T5801超高速存储器测试系统 助攻次时代DRAM元件

爱德万测试发表T5801超高速存储器测试系统，助攻次时代DRAM元件。新平台配置灵活、速度、效能、准确度无与伦比。爱德万测试

半导体测试设备领导供应商爱德万测试 (Advantest Corporation) (TSE:6857) 2月12日隆重发表T5801超高速DRAM测试系统。这套尖端的平台专为支持GDDR7、LPDDR6和DDR6等高速存储器最新技术而设计，关键在于满足人工智能 (AI)、高效能运算 (HPC) 和边缘应用等不断成长的需求。

日益复杂且高速的存储器技术正推动数据中心与AI效能发展持续突破，最新T5801平台正是为了因应此挑战而诞生，为最高速度的存储器元件实现精准、有效率的大量测试。这套采用创新前端单元测试 (FEU) 架构的系统，专门针对次时代DRAM模块的严格需求，能达到领先业界的36Gbps PAM3与18Gbps NRZ优异效能。

爱德万测试ATE事业群存储器测试事业本部长铃木雅之指出：「随着AI加速器与边缘运算持续演进，存储器带宽将成为整体系统效能的发展瓶颈， T5801协助我们的顾客以准确、快速又可靠的方式验证次时代DRAM 效能，确保他们的产品能快速上市。」

T5801平台建立在爱德万测试领先市场的DRAM测试解决方案基础之上，包括已获验证的T5503系列与V93000HSM系统。T5801支持PAM3，创下JEDEC标准DRAM首例，凸显它因应GDDR7等存储器创新的实力，也是想在所有AI环境实现超低延迟表现的关键。

T5801可扩充的测试基础架构能做到从工程研发到生产流程的无缝接轨，提供灵活配置，并与现有分类机和界面完全兼容。T5801 DRAM测试系统目前已获部分存储器战略客户采用，预计2026年初于全球市场推出。

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