科林研发乾式光阻技术可建立28纳米间距高分辨率图案化

Lam Research科林研发宣布其创新的乾式光阻（dry resist）技术可直接印刷28纳米间距之后段（BEOL）逻辑制程，适用于2nm及以下先进制程，现已获得在纳米电子与数码技术领域中，极具领导地位的研究与创新中心Imec所认证。

乾式光阻是科林研发推出的先进图案化技术，可提高极紫外光（EUV）微影的分辨率、生产量和良率，而极紫外光（EUV）微影是生产下时代半导体元件的关键技术。

科林研发技术长暨永续长Vahid Vahedi表示，科林研发的乾式光阻技术提供了前所未有的低缺陷率、高分辨率的图案化，很高兴向Imec及其合作夥伴提供这项技术，作为先进半导体元件设计和制造的关键制程。

随着芯片制造商迈向先进技术节点，晶体管的特徵和间距尺寸持续缩小。积极推进的下时代元件技术蓝图需要可直接印刷28纳米间距的后段制程（BEOL）来实现微缩。

小的间距尺寸通常会导致图案分辨率较差，但科林研发的乾式光阻技术克服了众所皆知的EUV曝光剂量（成本）和缺陷率（良率）之间的权衡，有助于最佳化图案化。

在Imec，科林研发的乾式光阻制程与低数值孔径极紫外光（Low NA EUV）机台配对，并可扩展到高数值孔径极紫外光的设备。它们提高EUV灵敏度和每个晶圆通道的分辨率，从而改善成本、效能和良率。

此外，乾式光阻比现有的湿式化学光阻制程消耗更少的能源和减少五到十倍的材料，提供了关键的永续性优势。科林研发的技术优于湿式光阻材料，缺陷率极低，且成本具竞争力。

imec制程技术副总裁Steven Scheer表示，透过联合研发，imec担当设备制造商的中立合作夥伴，展示新材料和设备的可行性，支持制程开发，并为整合元件制造商和晶圆厂提供早期获得创新制程的机会，从而加速其制造进程。科林研发的乾式光阻技术以具有竞争力的曝光剂量实现了优异的低缺陷率和高保真度。