英飞凌与罗姆携手推进SiC功率元件封装兼容性 为客户带来更高灵活度

全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（总部位于德国新比贝格）今日宣布，与全球知名半导体制造商ROHM（罗姆，总部位于日本京都市）就建立SiC功率元件封装合作机制签署了备忘录。双方将在碳化矽（SiC）功率半导体的封装领域展开合作，应用范畴涵盖车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等。

双方将就特定的SiC功率元件封装合作，互为彼此的第二来源供应商（second source），进一步提升客户在设计与采购上的灵活性。未来，客户可同时从英飞凌与ROHM取得封装兼容的产品，这项合作将确保这些元件在封装兼容性与互换性上的无缝衔接，以满足不同客户的特定需求。

英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer表示：「我们很高兴能够透过与ROHM的合作进一步加速碳化矽功率元件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。」

ROHM常务执行董事、功率元件事业部负责人伊野和英表示：「ROHM的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待透过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓电力电子行业的未来。」

作为此次合作的一部分，ROHM将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装）。该平台将所有封装统一为2.3mm的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。 

同时，英飞凌将采用ROHM的半桥结构SiC模块DOT-247，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的Double TO-247 IGBT产品组合新增SiC半桥解决方案。ROHM先进的DOT-247封装相比传统分立元件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个TO-247封装连接的独特结构，较TO-247封装降低约15%的热阻和50%的电感。凭藉这些特性，该封装的功率密度达到TO-247封装的2.3倍。

英飞凌与ROHM计划未来将扩大合作范畴，涵盖更多封装形式，并囊括矽（Si）及宽能隙功率技术，例如碳化矽与氮化镓（GaN）。此举将进一步深化双方的合作关系，并为客户提供更加多元的解决方案及采购选择。

SiC功率元件透过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助英飞凌与ROHM的SiC功率元件，客户可为电动汽车充电、再生能源系统、AI数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。