磊拓与EpiWorld于Semicon展出SiC磊晶技术

图为2012年PV Taiwan磊拓科技展出长晶设备、全自动晶棒加工系统。

Silicon Carbide(SiC碳化矽)与Gallium Nitride(GaN氮化镓)同为备受瞩目的宽能隙(Wide Bandgap)半导体材料，其中SiC与传统矽基半导体相较具有3倍热导效率、3倍能隙宽度以及10倍崩溃电压的优异特性，成为大功率元件的最佳选择，应用范围遍布电力传输系统、电动车以及铁路运输系统。

磊拓科技致力于整合SiC产业供应链，从最前端的高纯度SiC原料、SiC PVT/CVD长晶设备、一直到SiC on SiC Epiwafer，提供客户商业化的解决方案；此次Semicon Taiwan特别展示策略合作夥伴EpiWorld的3寸、4寸、6寸Epiwafer，以国际同步的品质与服务，成为台湾元件设计公司最佳的解决方案。

EpiWorld核心技术成员来自国际顶尖的SiC研发团队，其整个技术团队融合了中、美、日籍顶尖的SiC技术人才，同仁共拥有超过50年SiC研究开发与产业化经验，Epiworld从2011年迄今共取得18项自有SiC磊晶相关专利，并获得ISO9001/ISO14001/OHSAS18001品质管理系统认证；其深厚的SiC技术背景以及与世界接轨的品质管理已取得日本大型元件公司认可并稳定供货中。

磊拓科技与EpiWorld邀请您参加Semicon Taiwan 2015，希冀您的参与并讨论最新SiC磊晶技术发展与市场趋势，加速SiC应用产业化的到来。展出时间：9月2日至4日；展位编号：南港展览馆；号码：2831。