新半导体时代来临 EPIWORLD SiC磊芯片就位！

Epiworld在籍员工合照。

问题：赵董事长在SiC材料领域研究长达20多年，请教赵董当初为何选择进入SiC材料领域？又是怎麽样的契机使您决定创立EpiWorld公司？EpiWorld在未来会以怎样的角色来和业界合作？

答：碳化矽半导体材料是继矽、锗和砷化镓材料之后的第三代半导体材料，其优异的物理和化学性能在新能源，节能环保，国防、航空、航太、石油勘探、光存储、显示以及白光照明等领域有着重要应用前景，市场潜力巨大，据统计，大陆占有超过全球50%的电力芯片应用市场份额，而大陆每年需求的电力芯片基本依靠进口。

当前国际公认的将引领电力芯片尤其是大功率电力芯片下一个五十年最佳的电子材料为SiC材料，故通过在亚洲创立EpiWorld公司，大力发展并引进20多年来国际开发SiC技术，开发SiC半导体「电力芯片」从而达到实现台湾SiC电力芯片产业化的目的。EpiWorld近期目标是成为亚洲市场第一大碳化矽磊晶芯片生产商，在最短的交货时间内以最具竞争力的价格提供客户高品质的产品及服务。

问题：EpiWorld生产4英寸、6英寸4H-SiC磊晶，目前的技术进展情况？

答：EpiWorld已经利用暖壁行星式磊晶炉开发出特有的SiC磊晶生长制程，生产出高品质的4英寸和6英寸4H-SiC磊芯片产品，产品通过日系元件厂家的品质认证，获得高度评价。对于具体的磊晶产品技术参数指标，以600V？3.3kV的4英寸磊晶为例，主要技术成果包括以下：

1.成功控制磊晶缺陷的产生；2.成功抑制表面巨型台阶的形成；3.实现高均匀性生长；4.实现高速磊晶生长；5.突破厚外延生长技术。

碳化矽磊晶芯片产品的品质达到国际先进水准。芯片产品的主要性能指标如下：

1.芯片尺寸：4英寸和6英寸。
2.典型厚度：1？50 微米。
3.掺杂浓度：9E14~1E19 cm-3。
4.厚度均匀性(δ/mean)：优于2%。
5.浓度均匀性(δ/mean)：优于5%。
6.外延缺陷密度：小于2cm-2。
7.表面巨型台阶：95%以上面积无巨型台阶缺陷。

问题：众所皆知台湾半导体占全球市场相当比例，EpiWorld将如何经营本地市场？

答：针对台湾市场，EpiWorld将采用分销管道、统筹安排的策略。目前台湾市场正处于SiC技术研发阶段，EpiWorld计划通过以下几种方式来加速台湾市场的研发，进而加速台湾市场的发展。

1.采取分销管道的市场销售模式，使公司、代理商和客户三者建立有紧密的联系。并通过代理商良好的人脉关系，加速台湾市场的成功介入与开发。

2. 关注客户需求，不断努力提升公司产品品质，提供令客户满意的综合解决方案。如通过为用户在元件研发过程中遇到的问题提供从晶圆到磊晶材料的品质追踪分析，共同寻找原因。同时用户如有需求，EpiWorld将有效发挥团队在SiC元件方面的经验，可向用户提供元件研发中的技术支持与服务。

问题：未来碳化硅片市场的有如何的预估?

答：根据矢野经济研究所(日本最具权威的调查机构之一)调查数据显示，2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%，为143.13亿美元。预计2014年仍将继续增长，2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。

特别值得关注的是SiC，GaN等新一代功率半导体市场将在2016年形成市场，并预计2020年的市场规模将达到28.2亿美元，SiC占主导地位。其中SiC功率半导体不仅应用于二极管，从2013年起，一些晶体管也将采用SiC。2014年下半年起，各元件厂商计划开始量产直径为6英寸的SiC芯片，并预计2015？2016年将会进一步降低其成本，扩大应用范围。

2013？2020年，SiC等新一代功率半导体的年均增长率为63.6%。随着6英寸SiC芯片的量产化， SiC元件正逐渐实现成本的降低，可以预测到全SiC元件将在市场活跃起来，特别是在太阳能发电用PCS、UPS及商业设备的电气产品领域的应用将带来显着优势。另外， SiC在纯电动车的应用也兴起，预计在2019年以后将大规模使用SiC材料。

问题：对于其他专业Epi-house，EpiWorld在磊晶制程方面具备那些特点或优势能否与我们分享?

答：EpiWorld虽然成立时间不长，但其核心技术成员来自国际顶级的SiC研发团队，具有深厚SiC磊晶技术背景，提供产业化3、4、6英寸SiC半导体磊晶芯片，产品填补了大陆SiC领域的空白，同时也是全球提供商用6英寸SiC磊晶芯片的4家企业之一。

此外EpiWorld申请了18项SiC相关专利，获得了自己的知识产权。EpiWorld产品品质已达到了国际先进水准，并获得大陆、以及海外客户的鉴定认可，目前，日系客户占出口比率一半以上。

EpiWorld整个技术团队融合了美国、日本和大陆顶尖的SiC技术人才，拥有超过50年SiC研究和产业化综合经验，发表了近300篇SiC顶尖国际期刊论文。向客户提供高品质SiC外延芯片产品的同时，还可提供更多的服务，包括： 1.可按客户要求提供特定品质的SiC磊晶产品，如BPDs free磊晶芯片、Step bunching free磊晶芯片、低In-grown stacking faults磊晶芯片等。2.可协助客户分析元件失效的材料原因，并提供解决方案。

为了服务台湾客户，Epiword 计划参展2015年9月2日至4日国际半导体展，展位编号：2831 ，欲了解技术详细，欢迎业界先进莅临半导体展Epiword展位参观指教，网址请至磊拓科技官网连结查询：http://www.latentek.com.tw/Epiworld_ch.html。

Epiworld创始人赵建辉博士

公司董事长赵建辉博士(美籍华人)，是国际上最早开始SiC半导体材料及元件研究的学者之一，是全球第一位因对SiC半导体研究及产业化做出重大贡献而获选为IEEE Fellow(国际电机电子工程协会院士)的研究者。赵建辉博士于1992年起担任美国罗格斯大学碳化矽研究中心主任、教授，期间培养了许多目前国际SiC研究领域的领军人物，包括多位在大陆的行业领军人物。

赵建辉博士的技术团队曾研发出世界第一个近1000V的SiC SBD(肖特基势垒二极管)，世界第一个SiC的Thyristor(晶闸管；和Cree公司同时)，世界首个4H-SiC BJT晶体管(与Cree公司同时)，世界第一个SiC雪崩单个光子探测器，发明并开发了目前世界上唯一的最具实用价值的「normal closed」SiC垂直结型场效应晶体管，世界第一个SiC功率集成电路。

赵建辉博士还曾担任50多个SiC等研究项目的首席研究员，发表过200多篇SiC等方面的期刊文章，并在诸多研究机构和国际学术会议上发表演讲逾170次，申请专利7项，着书2本。(其中一本为2000年亚马逊.com相关书籍的十大最佳畅销书之一)；2008年担任10年一次的世界最权威的IEEE电子元件(IEEET-ED；2008年8月)碳化矽半导体磊芯片及大功率电子元件特刊主编。

EpiWorld研发副总裁冯淦博士

公司研发副总裁冯淦博士，具有十多年的宽禁带半导体磊晶生长和大功率半导体元件制作经验，作为最具知名度的日本京都大学Kimoto教授SiC研究团队的核心成员。冯淦博士在SiC磊晶生长和SiC大功率元件设计、制作和研发方面具有独到见解，并在日本的多个研究项目中担任专案主持人或专案主要完成人。

冯博士在国际核心期刊上发表SCI论文40多篇，多次在国际学术会议上做特邀报告，先后被APL、JAP等国际权威期刊邀请担当审稿人，还被「国际固态元件与材料会议(SSDM)大会」组委会邀请担当2014/2015年功率元件分会委员会委员，以及「2015年国际SiC及关联材料会议(ICSCRM2015)大会」组委会邀请担当SiC磊晶生长分会主席。