Entegris NMB过滤器降低晶圆污染率

在半导体制造方面，化学机械抛光(或CMP)步骤系在各层互连结构之间随着装置建置用于平坦化、或产生一层形貌。由于浆料内含的微细颗粒提供达成最终表面结果所需的磨料，用于CMP之抛光浆料为取得良好成果的关键。诀窍是在抛光制程期间让浆料内的作业中颗粒保持不变，同时移除造成平面状况不均匀而更加可能在装置层产生污染的任何大型浆料颗粒结块。浆料里的凝胶型颗粒也会容易在CMP制程中形成，使其本身产生污染。最后，为了达成所欲成果，必须管控颗粒与凝胶污染状态，致使不会降低浆料流量并使过滤器造成压损提升。流量是液体通过过滤器一段时间的体积度量。压损是达成给定流量所需的压力度量。降低压损可用创新的介质设计及新的结构材料来达成。

诸如Entegris所制造的CMP过滤介质，长期以来在CMP制程中保持需要的浆料特性。然而，随着装置几何尺寸缩减，高端浆料中使用的磨料尺寸也跟着缩减，大致朝sub-50nm颗粒尺寸移动，而且在一些特定应用中还达到个位数纳米尺寸。然而，随着磨料颗粒尺寸缩减，浆料产生的污染也增加其可能性，所以，CMP过滤器颗粒截取率必须降到愈来愈紧密的孔径大小，过滤器设计也是一样 (其目前常需要多层介质才能达到最佳效果)。然而，用于最高端抛光浆料的这些CMP过滤器在使用标准介质类型时通常会导致浆料流量降低。

Entegris已针对高端抛光浆料开发出在介质多孔性获得改善之Nano Melt Blown(NMB)过滤介质，其解决了过滤期间流量降低的相关问题。随着「剪力」效应大幅降低，大型颗粒结块之风险亦经由NMB介质之使用而降低。NMB介质之大量颗粒截取能力也可延长过滤器使用寿命，降低过滤过程的总持有成本。Entegris产品也可配合更紧密的截取率使用，并且能够在需要更大颗粒容量的大量？化学输送系统应用中用于过滤。