英飞凌推出适用于太空的抗辐射加固设计NOR快闪存储器

512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR FLASH。英飞凌

英飞凌科技股份有限公司推出512 Mbit抗辐射加固设计QSPI NOR快闪存储器，适用于太空和极端环境应用。这款半导体元件采用快速四串行周边界面（133 MHz），具有极高的密度、辐射和单次事件效应效能，是一款完全通过QML认证的非挥发性存储器，可与太空级FPGA和微处理器配合使用。

这款新元件由美国空军研究实验室太空飞行器局（AFRL）资助，并与Microelectronics Research Development公司（Micro-RDC）共同开发而成。它基于英飞凌经过实际验证的SONOS电荷闸阱技术，运行速度较低密度替代品提高多达30%。

AFRL太空电子技术专案经理Richard Marquez表示，「下一代太空级系统的设计者对高可靠性、高密度存储器的需求不断成长。我们与英飞凌、Micro-RDC等产业领导者合作，共同开发出一种集高密度、高数据传输速率与优于替代品的辐射效能于一身的技术解决方案。」

Micro-RDC总裁Joseph Cuchiaro表示，「英飞凌的抗辐射加固设计NOR FLASH极佳地补充了Micro-RDC的极端应用环境解决方案系列。随着512 Mbit密度元件的推出，设计人员能够设计出效能卓越的系统，以满足比以往更广泛任务类型的严格要求。」

英飞凌航太与国防业务副总裁Helmut Puchner表示，「此次英飞凌512 Mbit NOR FLASH家族扩展至抗辐射加固存储器产品组合，进一步证明了我们致力于提供高度可靠、高效能存储器来满足下一代太空需求的承诺。与AFRL和Micro-RDC的合作推动了产业领先技术的发展，透过采用提高关键卫星功能效能的技术，来应对太空应用中遇到的极端环境。」

英飞凌的SONOS技术独特地结合了密度和速度以及先进的抗辐射效能，具有高达10,000P/E的出色耐用性和长达10年的数据保存期。

该产品的133 MHz QSPI界面为太空级FPGA和处理器提供了高数据传输速率，并采用占板面积1”x 1”的陶瓷 QFP（QML-V），以及占板面积更小的0.5”x 0.8”塑胶 TQFP（QML-P）两种封装。

此外，该元件还为太空FPGA引导代码解决方案提供了最高密度的TID/SEE效能组合。其QML-V/P封装获得DLAM认证，能够满足最严格的业界资格认证要求。新型英飞凌512 Mbit QML认证NOR FLASH已上市。更多信息，请浏览英飞凌网站查询。