先进微影蚀刻制程绿化 imec发表减少碳足迹的杠杆做法  

选择性成长硬式光罩一直用于极紫外光（EUV）的底部超薄膜层来重新排列图形。最新研发的电浆蚀刻技术不仅能达到优异的图形化效能，还能把气体用量降到最少。该制程的范畴一（Scope 1）碳排放量比起历史记录上的制程，减少了大约16倍。Imec

日前2024年国际光学工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（Imec）概括展示能为直接二氧化碳排放做出最多贡献的先进微影蚀刻制程。他们也提出更具永续性的图形化发展方向，包含例如乾式蚀刻制程和简化制程的可能。

Imec技术研究主任Emily Gallagher表示：「现在有很多有用的杠杆手段可以减少这种影响。例如，大多数的乾式蚀刻制程都仰赖含氟化合物，这些物质会对全球暖化的影响极大，而且与这些制程相关的直接排放量也很高。为了把这些制程的消耗控制在最小，进而尽可能减少相应的影响，我们锁定未来图形化应用，发表了一些制程和设计指南，借此实现超薄阻剂和底部薄膜涂布、最少钝化处理，还有低温蚀刻。根据这些原则，我们展示了一项与高数值孔径（high-NA）兼容的金属导线蚀刻制程，其废气排放量大约是参照制程在进行减量前的6%。

微影制程方面，与发电相关的碳排放，挑战更大。因此，Imec提出的杠杆做法是运用更环保的绿能，减少多重图形化的步骤，降低光阻剂量，以及提高曝光机的产量。Emily Gallagher表示：「如果一台极紫外光（EUV）曝光机的产量降低20%，并在该先进逻辑晶圆制程以Imec.netzero模拟平台来全程模拟其环境影响，我们产生的范畴二（Scope 2）碳排放（能源元件）增加了6%。此外，以相当于高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）的一次曝光，取代低数值孔径极紫外光（low-NA EUV）双微影蚀刻（LELE）的穿孔制程模块，碳排放量能减少约30%。尽管高数值孔径（high-NA）曝光机的先进平台和驱动雷射所衍生的功耗增加，但这套做法仍能减少碳排，因为制程步骤变少了。」

Emily Gallagher补充说明：「永续发展对Imec来说很重要，我们也乐见国际光电工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）愈来愈重视这点。大致观察发表的论文就能看出一项前景可期的趋势：2018年只有1篇论文提及永续发展，但是在短短6年间，2024年会议预计会有45篇探讨永续发展的论文，其中有4篇将由Imec发表。」 2023年全球气候动荡不安，所以不论是机构或是个人，我们所有人都应该采取移动。Imec已经从个个层面着手进行这项移动，包含我们的研究。」