意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力

意法半导体突破20纳米技术节点，提升新一代微控制器的成本竞争力。意法半导体

服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出了一项18纳米完全空乏型矽绝缘层金氧半晶体管（Fully Depleted Silicon On Insulator；FD-SOI）技术并整合嵌入式相变存储器（ePCM）的先进制程，支持下一代嵌入式处理器进化升级。这项新制程技术是意法半导体和三星晶圆代工厂共同研发，使嵌入式处理应用能够大幅提升效能和降低功耗，同时还能整合容量更大的存储器和更多的类比和数码外部周边。搭载新技术的首款下一代STM32微控制器产品将于2024下半年开始提供部分客户样片，并预计于2025年下半排产。

意法半导体微控制器、数码IC和射频产品部总裁Remi El-Ouazzane表示，「身为半导体产业领导之创新企业，意法半导体率先为客户提供车用级和航太级FD-SOI和PCM技术。我们的下一步移动将从下一代STM32微控制器开始，让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术带来的诸多益处。」

意法半导体的技术优势

相较于目前在用之意法半导体40纳米嵌入式非挥发性存储器（eNVM）技术，整合ePCM的18纳米FD-SOI制程可以极大幅提升关键的品质因数：
一、效能功耗比提升50%以上；
二、非挥发性存储器（NVM）之密度是现有技术的2.5倍，可以在芯片上整合容量更大的存储器；
三、数码电路密度是现有技术的三倍，可以整合人工智能、图形加速器等数码外部周边，以及最先进的安全保护功能；
四、杂讯系数改善3dB，强化无线MCU的射频效能；
五、该技术能够在3V电压下运行，可为类比功能提供电源，例如电源管理、重置系统、时钟源和数码／类比转换器等，是20纳米以下唯一支持此功能的半导体制程技术。

该技术的耐高温运作、辐射硬化和数据保存期限已经过车用市场的检验，能够满足工业应用对可靠性的严格需求。FD-SOI和PCM技术信息，请浏览意法半导体官方网站。

STM32微控制器为开发者和客户带来之益处

具有成本竞争力的技术将为开发人员提供新型的高效能、低功耗、无线MCU。大储存容量支持市场对边缘人工智能处理、多射频协定堆叠、无线更新和进阶安全功能的日益成长的需求。高处理效能和大储存容量将刺激目前正在使用微处理器开发产品的开发者，转向整合度更高且更具成本效益的微控制器。这项新技术将进一步提升超低功耗装置的效能，意法半导体的产品组合目前在此一市场处于优势地位。

搭载该技术的首款微控制器将整合ARM最先进的ARM Cortex-M内核心，为机器学习和数码信号处理应用带来更强的运算能力。该产品将拥有快速、灵活的外部存储器界面、先进的图形功能，并将整合众多类比和数码外部周边，还导入了意法半导体最新MCU之先进而且经过认证的安全功能。