CGD将首次参与国内PCIM Asia展览 发表 ICeGaN GaN HEMT系列 智能应用 影音
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CGD将首次参与国内PCIM Asia展览 发表 ICeGaN GaN HEMT系列

  • 范菩盈台北

Cambridge GaN Devices(CGD)是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司,专门开发和量产一系列节能GaN 型功率装置,旨在实现更环保的电子元件,该公司将首次在国内唯一专门展示功率电子元件的PCIM Asia 展览会展出智能运动、再生能源和能源管理领域的应用产品。CGD同时将在国内首次发表易于使用、稳定可靠的ICeGaNGaN HEMT第2波系列产品,将在整个展位进行示范,并于活动期间发表主题演讲,以及两场技术应用简报。

Cambridge GaN Devices技术长Florin Udrea教授将于8月29日发表开幕主题简报,主题为:「新一代氮化镓功率装置;突破易用性和可靠性的限制」。CGD资深首席应用工程师Martin Cheung 将于8月29日星期二上午11:25发表题为「减少高效能充电器拓扑中的稳态损耗」的讲座,并于隔天8月30日发表「调校GaN切换效能及并行运作」的演说。

Andrea Bricconi CGD商务长表示:「国内和亚洲市场对CGD至关重要,我们将持续扩大产品组合,努力为全球市场提供创新、易用、坚固且可靠的GaN解决方案。CGD将在国内的PCIM Asia展览会首次展示我们的H2系列 ICeGaN HEMT解决方案。我们荣幸首次参加亚洲最顶尖的功率应用展览会,在现场与现有和潜在的新客户会面,倾听他们的应用现况,以利我们推出最合乎需求的解决方案。」

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