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英特尔和ASML强化合作关系 驱动High-NA高数值孔径

  • 陈其璐台北

英特尔和ASML强化合作关系,驱动High-NA高数值孔径于2025年进入生产阶段。英特尔
英特尔和ASML强化合作关系,驱动High-NA高数值孔径于2025年进入生产阶段。英特尔

为推进尖端半导体微影技术发展,ASML和英特尔公司宣布,其长远合作的最新阶段发展。作为双方公司长远高数值孔径合作案的架构内容,英特尔已向ASML下订业界首台TWINSCAN EXE:5200 系统的订单;这是款具备High-NA的极紫外光(EUV)大量生产系统,每小时具备200片以上晶圆产能。

Martin van den Brink,ASML总裁暨技术长表示,「英特尔的远见和对ASML High-NA EUV的早期承诺,为其不断追求摩尔定律的绝佳佐证。相较于目前的 EUV系统,我们持续创新拓展EUV路线图,进一步降低复杂性、成本、周期时间和所需能量,提供驱动芯片产业下个10年所需要的良好经济规模延展性。」

英特尔于2021年7月Accelarated活动中宣布,其部署首款High-NA技术的计划,藉以确立晶体管创新路线图发展。英特尔早在2018年即是之前TWINSCAN EXE:5000系统的首位买家,透过今日所宣布的新订购案,其合作关系将随着英特尔于2025年开始以高数值孔径EUV进行生产制造而延续下去。

Ann Kelleher博士,英特尔执行副总裁暨技术开发事业部总经理表示,「英特尔的重点就是保持半导体微影技术的领先地位,2021年我们持续不断地打造我们的EUV专业知识和能力。透过与ASML的密切合作,我们将汲取High-NA EUV的高端析度图案化优势,作为延续摩尔定律的其中一个方式,并将我们追寻晶体管微缩的优良传统延续下去。」

EXE平台为EUV技术的演化步骤,其包含新颖的光学设计与大幅提升速度的光罩与晶圆阶段。TWINSCAN EXE:5000 和EXE:5200系统与之前EUV机器所具备的0.33数值孔径镜片相比,提供精确度提升的0.55数值孔径,为更小的晶体管特徵提供更高的分辨率图案化。系统所具备的数值孔径结合其使用波长,决定了最小能够印制的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA为2025年开始的多个未来节点所设计,同时也是业界首次部署该技术,随之而来的将是具备相近密度的存储器技术。在2021年的投资者关系日,ASML分享其EUV路线图规划,并表示High-NA技术有望自2025开始支持生产制造。故声明与此路线图规划一致。