英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列 提供超低导通电阻和新型封装

CoolSiC MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热Q-DPAK封装，该封装可提供极佳的热性能与可靠性。英飞凌

全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，产品组合覆盖在25°C情况下的典型导通电阻(RDS(on))值60 mΩ。

此次扩展加入的产品涵盖多种应用，例如汽车领域的车载充电器和高低压DCDC转换器，以及工业应用中的服务器和电信开关电源（SMPS）和电动汽车充电基础设施等。

其4 mΩ超低导通电阻可支持对静态开关性能有特殊要求的应用，例如eFuse、高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器等。凭藉这一领先的性能，设计人员能够开发出更高效、更精简且更可靠的系统，以满足各类严苛的要求。

CoolSiC MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热Q-DPAK封装，该封装可提供极佳的热性能与可靠性。该封装专为轻松应对高功率应用而开发，非常适合想要突破功率密度和效率极限的设计人员。

该技术还具有出色的 (RDS(on)) x QOSS 和出色的 (RDS(on)) x Qfr，可有效降低硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，尤其是在硬开关使用者案例中具有出色的效率。

此外，CoolSiC MOSFET 750 V G2兼具高阈值电压 VGS(th)（25°C情况下典型值为4.5 V）和超低 QGD/QGS 比值，增强了其对寄生导通（PTO）的抗扰性。

该系列还具有更强大的闸极驱动能力，支持的静态闸极电压和瞬态闸极电压分别可达 -7 V和 -11 V。这种增强的耐压性为工程师提供了更大的设计裕度，实现了与市面上其他元件的高度兼容。

现已推出CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50 mΩ和D2PAK 7/25/33/40/50/60 mΩ的样品。欲了解更多信息，敬请浏览官网。