安森美推出第7代IGBT模块　协助再生能源简化设计降低成本

安森美推出第7代IGBT模块，协助再生能源简化设计并降低成本。安森美

安森美（onsemi）， 最新发布第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培（A） QDual3 模块基于新的场截止第7代IGBT技术，带来出色的效能表现，有助于降低系统成本并简化设计。在用于150千瓦的逆变器中时，QDual3模块的损耗比同类竞品少200瓦，从而大大缩减散热器的尺寸。QDual3模块专为在恶劣条件下工作而设计，非常适合用于大功率逆变器如太阳能发电站中央逆变器、储能系统、商用农业车辆与工业电机驱动器。目前，根据不同的应用需求，有两种产品可供选择—NXH800H120L7QDSG 和SNXH800H120L7QDSG。

再生能源采用率不断提高，对于高峰需求管理和持续供电保障等相关解决方案的需求也随之日益成长。要想维持电网稳定性和降低成本，就必须要削减电力需求高峰时段的用电量，即采取削峰填谷。利用 QDual3模块，制造商可以在相同系统尺寸下，设计出发电和蓄电能力更强的太阳能逆变器和储能系统，提高能源管理效率，增强存储能力，并更顺畅地将太阳能电力整合到电网中。

此外，该模块还支持将多余的电力存储在储能系统中，进而能够有效缓解太阳能发电的间歇性问题，确保供电的可靠性和连续性。对于大型系统而言，这些模块可以透过并联来提升输出功率，达到数万亿瓦级别。与传统的600A模块解决方案相比，800A的QDual3模块显着减少了所需模块的数量，极大地简化了设计复杂度并降低了系统成本。

QDual3 IGBT模块采用800 A半桥配置，整合了新的第7代沟槽场截止IGBT和二极管技术，采用安森美的先进封装技术，从而降低了开关损耗和导通损耗。得益于FS7技术，芯片尺寸缩小30%，每个模块可以容纳更多的芯片，从而提高了功率密度，最大电流容量达到800 A或更高。该800 A QDual3模块的IGBT Vce（sat）低至1.75V（175℃），Eoff 较低，能量损耗比次优替代方案低 10%。此外，QDual3模块还满足汽车应用所要求的严格标准。

安森美电源方案事业群工业电源部副总裁Sravan Vanaparthy表示，随着卡车和巴士等商用车队的电气化程度提高，以及市场对再生能源的需求增加，需要能够更高效地产生、存储及分配电力的解决方案。将再生能源输送到电网、储能系统及下游负载，并尽可能减少电能损失，正变得日益关键。QDual3采用遵循产业标准的引脚排列，提供出色的效能，使电力电子设计人员能够即插即用这些模块，即刻提升其系统效能。