英飞凌携Enphase透过600 V CoolMOS 8提升能效

采用TOLL封装的CoolMOS 8。英飞凌

Enphase Energy公司采用全球电源系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的600V CoolMOS 8高压超接面（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。

Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。透过使用600 V CoolMOS 8 SJ，Enphase显着降低了其太阳能逆变器系统的MOSFET内阻（RDS(on)），进而减少了导通损耗，提高了整体设备效率和电流密度，而且还节省了与MOSFET相关的成本。

英飞凌资深副总裁暨总经理Richard Kuncic表示：「我们很高兴与Enphase合作，支持他们致力于完成提供创新太阳能解决方案的使命。

英飞凌的600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET专为以极低成本提供卓越的效率和可靠性而设计，这与Enphase和英飞凌透过提高再生能源技术的性能和经济性的承诺相吻合，从而进一步推动低碳化进程。」

Enphase Energy资深副总裁暨系统业务部总经理Aaron Gordon表示：「透过与英飞凌合作，Enphase利用CoolMOS 8 SJ MOSFET技术提高了自身微型逆变器系统的性能和经济性。该合作展现了我们在太阳能产业追求创新与卓越的决心。我们很高兴能以显着节约的成本为客户大幅提升电流功率密度。」

英飞凌最新推出的600 V CoolMOS 8 MOFET在全球高压超接面MOSFET技术领域处于领先地位，为全球树立了技术和性价比的标准。该技术提高了充电器和适配器、太阳能和储能系统、电动汽车充电和不断电供应系统（UPS） 等应用的整体系统性能，进一步推动了低碳化。

CoolMOS 8 SJ MOSFET的闸极电荷较CFD7降低了18%，较P7系列降低了33%。闸极电荷的降低减少MOSFET的闸极从关断状态（非导通）切换到导通状态（导通）所需的电荷，使系统更加节能。

此外，CoolMOS 8 SJ MOSFET拥有更快的关断时间，其热性能较上一代产品提高了14%至42%。该产品整合快速体二极管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封装，适用于各种消费和工业应用。

600V CoolMOS 8 SJ MOSFET 和 650 V CoolMOS 8 SJ MOSFET产品组合扩展样品将从四月初开始供应。更多信息，敬请浏览官网。