宜普电源推出单片式氮化镓半桥功率晶体管

宜普电源转换公司宣布推出EPC2100—第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过整合两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

在EPC2100半桥元件内每一个元件的额定电压是30 V。上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是6mΩ，下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是1.5mΩ。

高侧场效应晶体管的尺寸大约是低侧器件的四分之一，具高VIN/VOUT比，在降压转换器可取得最优直流？直流转换效率。EPC2100使用芯片尺寸封装以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6毫米(mm)x2.3 毫米，功率密度更高。

宜普电源转换公司创始人兼首席CEO表示，现在设计师可利用氮化镓技术所带来的第一个范例「单片式eGaN半桥元件系列」，可节省空间、提高效率及降低系统成本。当功率转换系统延伸至数MHz的领域，整合多个分立器件变得更为重要以实现高系统效率及高功率密度。

EPC9036开发板 的尺寸为2英寸乘2英寸，包含一个EPC2100整合半桥元件，采用德州仪器的闸极驱动器(LM5113)、电源及旁路电容。电路板的版图设计可实现最优开关性能并设有多个探孔使得用户可易于测量简单的波形及计算效率。