非红供应链领军12寸SiC突围先进封装 中国也乐见其成
- 黄女瑛／台北
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在AI芯片引爆先进封装CoWoS需求之际，市场盛传，第三类半导体碳化矽（SiC）正准备闯入这个高附加价值的市场。
这场技术革新，预计将由「非红供应链」率先发展，但最终却可能为全球SiC产业，特别是包括中国，带来新的成长动能。从9月的SEMICON Taiwan 2025到近期韩国的ICSCRM，12寸SiC在先进封装的应用，成为产业热议的焦点。
半导体供应链业者指出，12寸SiC基板打入CoWoS封装，主要由NVIDIA与台积电主导设计与运作。考量到地缘政治等因素，这项应用将会从「非中国」供应链萌芽、茁壮。
台湾供应链有机会成为这场材料革命的先锋部队。尽管台湾在6寸、8寸SiC基板领域的表现，难以追上中国，但凭藉在技术、制程良率与成本掌控上的卓越，台湾此次有机会「弯道超车」12寸SiC应用，在先进封装领域中抢得先机，甚至主导产业发展。
同步，其他非红供应链也对此寄予厚望，因为12寸SiC单晶长晶难度高，这将促使台湾与国际厂商在设备、关键材料上进行更广泛的合作，进而将此应用延伸至不同领域。
对非红供应链而言，这场变革带来了新的曙光。不仅可成为SiC的全新应用领域，更打入了高获利的半导体先进制程与封装领域，成功避开了当前全球6寸SiC基板的价格肉搏战，扭转中国强势主导的局面。
业者进一步透露，事实上，中国SiC供应链更乐见此新应用的发展。
因为由NVIDIA、台积电带头打造的商机，一旦成形，其规格、性能与功效都将成为产业定局。这形同为中国SiC跨足该领域先行舖路，省掉前期摸索的成本。
就算非红供应链打前锋，中国仍能凭藉其自给自足的政策与庞大内需，快速将12寸SiC产业发扬光大。这与过往许多产业链的发展模式相似，先由领先者定义标准，后由中国迅速跟进并实现规模化。
熟悉半导体业界人士表示，此次ICSCRM在韩国举行，吸引全球化合物半导体领域的菁英汇聚。2026年与2027年的活动，将分别在日本横滨与英国伦敦举行，而2028年原考虑在台湾举办，表示前来与会的国际菁英，可以顺路拜访「台湾供应链」，这个12寸SiC应用于先进封装的实战区域。
然而业者也坦言，由于台湾缺乏适合大型的场地，最后决定改在法国举行，着实令人扼腕。
由于应用领域不同，目前6寸SiC基板、透过晶圆制造，主要供应功率半导体所需，其最大出海口以电动车（EV）、太阳能为主。基板价格近两年快速下杀至生产成本线以下，主要来自于中国产能大开，导致快速陷入供过于求而内卷。更有甚者，两大出海口，也由中国主导，形成全产业链各环节都内卷的问题，当然也传导至全球相关供应链。
中国6寸SiC已步入淘汰赛，即使如此，有实力且口袋具深度者，仍持续朝8寸升级，因此，市场预估其竞争激烈度不会因尺寸升级而减缓。
