新时代功率元件现身 ROHM力推SiC方案

罗姆(ROHM)半导体主任工程师唐仲亨。

囿于成本及取得方便性等考量，传统上多是采用矽(Si)制作功率元件，然而，近年许多设备逐渐朝向高功率及大电流发展，使得碳化矽(SiC)功率元件日益受到重视。SiC能够降低切换损耗，拥有绝佳的切换特性，且在高温环境下仍具备绝佳的工作特性，再加上高耐压及低导通阻抗等特性，使得SiC相较于Si半导体更能实现小型化、低功耗与高效率目标的功率元件。

罗姆半导体主任工程师唐仲亨强调，「SiC很有机会成为新时代的低损耗元件。」ROHM自2010年开始量产SiC功率元件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来，领先业界进行各项新技术开发，是全球第一家进行全SiC功率模块和沟槽结构SiC-MOSFET量产的半导体公司。

为满足市场对于SiC功率元件的需求，目前ROHM已齐备三大SiC产品线，包括SiC萧特基二极管(Schottky Diode)、SiC场效应晶体管(MOSFET)、SiC电源模块等。

唐仲亨特别介绍SiC MOSFET指出，此元件在切换动作时没有尾电流(tail current)，能够高速动作并降低切换损失；且芯片面积不需太大，即可达成低导通电阻，所以能做到低电容量与低Gate charge。此外，Si元件的导通阻抗会随着温度上升而增加2倍以上，SiC的导通阻抗增加量则相对较小，相当有利于产品的小型化与节能化。