英飞凌推出全新OptiMOS源极底置功率MOSFET

高功率密度、出色的效能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技推出了新一代OptiMOS源极底置(Source-Down，简称SD)功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。新款功率MOSFET采用PQFN封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm²，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热效能指标，并降低BOM成本，在功率MOSFET的效能方面树立了新的业界标竿。该元件的应用领域十分广泛，涵盖马达驱动，适用于服务器、电信和OR-ing的SMPS，以及电池管理系统等。

与传统的漏极底置(Drain-Down)封装相比，最新的源极底置封装技术能够让元件的外形尺寸接近于裸芯片。此外，这种创新封装技术还能降低损耗，进一步增强元件的整体效能。相较于最先进的漏极底置封装，采用源极底置封装可使R_DS(on)降低30%。这一技术创新能够为系统设计带来的主要优势包括：缩小外形尺寸，从SuperSO8 5 x 6 mm²封装转变到PQFN 3.3 x 3.3 mm²封装，可减少约65%的占板空间，让可用空间得到更有效的利用，从而提高终端系统的功率密度和系统效率。

此外，在源极底置封装中，热量透过导热垫传递到PCB上，而非透过焊线或铜夹，以此来改善散热效果。这也使得结壳热阻(R_thJC)从1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超过20%，从而能够实现优异的热效能。英英飞凌提供两种不同的尺寸版本和配置选项：SD标准闸极和SD中央闸极。在标准闸极配置中，电气连接的位置保持不变，方便将标准的漏极底置封装简单直接地替换成新的源极底置封装；而在中央闸极配置封装中，闸极引脚被移到中心位置以便于多个MOSFET并联。这两种型号都能够优化PCB配置，使得寄生效应降低，PCB损耗改进，且易于使用。