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英飞凌推出全新OptiMOS源极底置功率MOSFET

  • 赖品如台北

高功率密度、出色的效能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此,英飞凌科技推出了新一代OptiMOS源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。新款功率MOSFET采用PQFN封装,尺寸为3.3 x 3.3 mm2,支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热效能指标,并降低BOM成本,在功率MOSFET的效能方面树立了新的业界标竿。该元件的应用领域十分广泛,涵盖马达驱动,适用于服务器、电信和OR-ing的SMPS,以及电池管理系统等。

与传统的漏极底置(Drain-Down)封装相比,最新的源极底置封装技术能够让元件的外形尺寸接近于裸芯片。此外,这种创新封装技术还能降低损耗,进一步增强元件的整体效能。相较于最先进的漏极底置封装,采用源极底置封装可使RDS(on)降低30%。这一技术创新能够为系统设计带来的主要优势包括:缩小外形尺寸,从SuperSO8 5 x 6 mm2封装转变到PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装,可减少约65%的占板空间,让可用空间得到更有效的利用,从而提高终端系统的功率密度和系统效率。

此外,在源极底置封装中,热量透过导热垫传递到PCB上,而非透过焊线或铜夹,以此来改善散热效果。这也使得结壳热阻(RthJC)从1.8K/W降到了1.4K/W,降幅超过20%,从而能够实现优异的热效能。英英飞凌提供两种不同的尺寸版本和配置选项:SD标准闸极和SD中央闸极。在标准闸极配置中,电气连接的位置保持不变,方便将标准的漏极底置封装简单直接地替换成新的源极底置封装;而在中央闸极配置封装中,闸极引脚被移到中心位置以便于多个MOSFET并联。这两种型号都能够优化PCB配置,使得寄生效应降低,PCB损耗改进,且易于使用。