半导体材料新一代拳王登场 看GaN如何大显身手！

从2010年发展至今，氮化镓(GaN)以其宽能隙的技术特性，展现高功率、高电压、散热佳等优点，在消费性装置的快速充电器大有斩获，未来更将扩展汽车、工业等领域，大有成为半导体材料新一代拳王的态势！

为了更深入GaN的最新应用与趋势，DIGITIMES日前在在线举行D Webinar 2021新兴科技论坛，以「半导体产业新一代拳王GaN」为题，邀请国立台湾大学电机工程学系副教授陈景然及国立宜兰大学电机工程学系副教授刘宇晨、稳懋半导体技术行销处资深协理黄智文、宏汭精测科技总经理暨品勋科技技术顾问林明正等多位专家发表演讲。

随着电源转换器走向高频化及小型化，宽能隙元件所扮演的角色愈来愈重要，陈景然表示，GaN可以说是改变电源转换器游戏规则的重要元件，刘宇晨也强调，GaN在高频、高转换效率、高温差等方面优势很能发挥优势，但未来应从系统层面进行优化设计。

黄智文强调，化合物半导体的应用领域愈来愈广，但不存在有取代传统矽半导体的问题，因为各自都有优势与市场区隔，其中GaN等第三类半导体材料可满足后5G时代更多影音、数据的传输及更广泛的覆盖范围。

林明正则强调，GaN的动态量测是其迈向广泛应用的重要一环，可以弥补传统静态量测的不足，透过在元件操作状态下执行GaN动态参数特性测试，可让开发者改善元件，并协助使用者正确评估元件的功率损耗及老化速率。