半导体能源研究所股份有限公司山崎舜平博士刷新「Most patents credited as inventor（作为发明人拥有的最多专利）」的金氏世界纪录（TM）称号 获得20,120件专利

截至2025年3月31日为止，半导体能源研究所股份有限公司（SEL）山崎舜平博士在半导体装置、显示器和模拟AI等领域共获得20,120件专利，刷新了其自身持有的「Most patents credited as inventor（作为发明人拥有的最多专利）」的金氏世界纪录（TM）称号。这一成就大幅刷新他之前创下的纪录：2004年3,245件专利、2011年6,314件专利、2016年11,353件专利。

照片：
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M104105/202509195500/_prw_PI1fl_CUnR65l4.jpg

该纪录于2025年7月9日由六位知识产权专业人士进行验证，山崎博士于2025年9月17日收到了金氏世界纪录的认证证书。这些专利包括自1969年至2025年3月31日颁发的日本、美国、韩国、中国和德国等国家的专利。大名鼎鼎的「发明王」汤玛斯-爱迪生（Thomas Edison，美国，1847-1931）一生共获得了2,332件专利，山崎博士已远远超过了这一数字。

山崎先生表示：「该两万余件专利是近60年研究工作的成果。凭藉该纪录，我们将继续推动诸如超低功耗LSI和模拟AI等技术的发展，以防止全球变暖。」

山崎舜平博士 个人介绍
工学博士，半导体能源研究所股份有限公司（SEL）董事长兼CEO

1942年出生。1970年，他发明了被称为「快闪存储器」的非易失性存储器的基本器件（41件专利，包括日本专利第886343号（日本专利申请公开公报第50-36955号公报）、美国专利第3,878,549号等基本发明）。1980年，他创立了SEL并担任代表董事。1997年，因在MOS LSI元件技术方面的创新，被日本政府授予紫绶奖章（Medal with Purple Ribbon）。他发表了一种具有yA/微米（10的-24次方A/微米）量级的极低关断电流的氧化物半导体FET*1及*2。

他是IEEE（美国电气电子工程师学会）终身会士、瑞典皇家工程科学院（IVA: Royal Swedish Academy of Engineering Science）的外籍会员、世界陶瓷学院（WAC: World Academy of Ceramics）院士和电化学学会（ECS: Electrochemical Society）会员。他还是同志社大学名誉文化博士，同志社社友，该称号仅授予对同志社有杰出贡献者。

关于半导体能源研究所股份有限公司（SEL）
SEL在实行一种专注于研发的独特商业模式。SEL致力于开发使用结晶性氧化物半导体（包括CAAC-OS*3）的极低功耗大规模整合电路（OSLSI）、模拟AI、有机EL显示器以及电子电路和元件以实现更高性能的OLED显示器。

半导体能源研究所股份有限公司（SEL）的网站：
https://www.sel.co.jp/en/

*1 yA/微米：yA/微米中的y（攸）是国际单位制（SI）中的前缀之一，yA/微米表示「攸安培/微米」或者10的-24次方A/微米。
*2 K. Kato et al., Jpn. J. Appl. Phys., 51, 021201-01 （2012）
*3 CAAC-OS：c轴结晶氧化物半导体
*OSLSI、CAAC-OS和CAAC是SEL的注册商标（No.5698906、5473535和5473530）