瑞萨推出第六代DDR5暂存时脉驱动器 以9600 MT/s的速率树立新效能标竿

瑞萨电子宣布，推出业用于DDR5双列直插式存储器模块（RDIMM）的第六代暂存时脉驱动器（RCD）。新款RCD首次实现9,600MT/s（百万次传输/秒）的数据传输速率，超越了业界标准。这项突破性进展与瑞萨第五代RCD的8,800MT/s相比，在效能上有了显着提升，为数据中心服务器的存储器界面树立了新的效能标竿。 

为了满足人工智能（AI）、高效能运算（HPC）和其他数据中心应用日益成长的存储器带宽需求，新款DDR5 RDIMM应运而生。瑞萨在新款RDIMM的设计、开发和部署中发挥了关键作用，并与包括CPU和存储器供应商在内的业界领导者以及终端客户展开了合作。瑞萨是DDR5 RCD领域的领导者，凭藉其在信号完整性和电源优化方面的深厚积累，不断引领产业发展。 

Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示，生成式人工智能的爆炸式成长推动了SoC核心数量的增加，这导致对存储器带宽和容量的需求大量提升，因为存储器带宽和容量是数据中心效能的关键因素。第六代DDR5暂存时脉驱动器体现了瑞萨对存储器需求的创新，藉由创造并提供解决方案以保持领先。

Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示，三星与瑞萨在许多时代存储器界面元件方面开展了合作，包括成功完成第五代DDR5 RCD和PMIC 5030的认证。现在，很高兴将第六代RCD整合到我们的DDR5 DIMM中，并应用于多个SoC平台，以满足人工智能、高效能运算和其他记忆操作密集等日益成长的应用需求。