先进制程搭配先进封装 引领新时代高效能芯片
AI正在重塑全球各行各业,持续推动自动化、机器学习和决策流程的进步,带动市场对运算能力、可扩展性和能源效率的更高要求,已满足云端数据中心到边缘运算等各种应用,驱动半导体产业积极发展先进制程技术。
根据国际半导体产业协会(SEMI)公布「300mm Fab Outlook(300mm晶圆厂展望报告)」报告中指出,随着生成式AI应用范围持续扩大,芯片制造大厂积极扩大先进制程产能(7纳米及以下),预估将从2024年每月85万片攀升至2028年每月140万片,年复合成长率将达到14%,短短4年间成长超过六成。
身为全球先进芯片制造龙头的台积电,为延续摩尔定律持续投入先进制造技术,如A14制程技术正是该公司下一时代先进逻辑制程技术,透过尺寸微缩实现全制程节点的效能、功耗及面积的进步。除此之外,A14制程技术亦有望透过增进装置端AI技术来强化智能手机功能,预定2028年将正式量产。
台积电处长陈健博士指出,A14制程与N2制程相比,在相同功耗下可提升达15%速度;或在相同速度下降低达30%的功率,同时逻辑密度增加超过20%。
此外,结合台积电在纳米晶体管方面的设计技术、优化经验,进一步将TSMC NanoFlex架构发展为NanoFlexPro,实现更好的效能、能源效率和设计灵活性,满足不同IC设计公司的研发需求。
在投入先进制程之外,台积电也积极布局先进封装技术研发,并推出3DFabric解决方案。这项技术将多项3D矽堆叠与先进封装技术整合,成为一套全面性的系统级封装平台,能与先进制程形成互补,协助客户展现创新能力。
3DFabric 涵盖CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)、InFO(Integrated Fan-Out)、TSMC-SoIC(System on Integrated Chips)等三大技术,透过同质与异质芯片的整合,可满足不同应用情境对高效能、运算密度、能源效率、低延迟及系统整合度等多方面的需求。
为满足AI应用对高效能芯片的强烈需求,台积电正积极开发新一代CoWoS技术研发,便能将GPU芯片与高带宽存储器(HBM)整合,预计2027年推出9.5倍光罩尺寸的CoWoS,可封装12个以上HBM芯片。至于下一代系统级晶圆(System-on-Wafer;SoW)封装技术,也同样预定于2027年量产。
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