科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术

Lam Cryo 3.0利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程，以精度和轮廓控制进行蚀刻。科林

Lam Research科林研发推出Lam Cryo 3.0，这是经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，扩大在3D NAND快闪存储器蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智能（AI）的普及不断推动更大容量和更高效能存储器的需求，Lam Cryo 3.0为未来先进3D NAND的制造提供了至关重要的蚀刻能力。Lam Cryo 3.0利用超低温、高功率局限电浆反应器技术和创新的表面化学制程，以领先的精度和轮廓控制进行蚀刻。

科林研发全球产品事业群资深副总裁Sesha Varadarajan表示，Lam Cryo 3.0为客户迈向1,000层3D NAND奠定基础，已经使用科林研发低温蚀刻制造了五百万片晶圆，这项最新技术是3D NAND生产领域的突破。它以埃米级精度建立高深宽比（HAR）特徵，同时对环境造成更低的影响，且蚀刻速率是传统介电层制程的两倍以上。Lam Cryo 3.0是我们的客户在人工智能时代突破NAND关键制造挑战所需的蚀刻技术。

迄今为止，3D NAND主要透过储存单元的垂直层堆叠取得进展，这是透过蚀刻深而窄的HAR储存通道实现的。蚀刻轮廓的极小原子级误差可能会对芯片的电效能产生负面影响，并可能影响良率。经过最佳化的 Lam Cryo 3.0，可解决上述提及和其他微缩方面的蚀刻挑战。

Counterpoint Research联合创始人暨研究副总裁Neil Shah表示，人工智能正在推升云端和边缘的快闪存储器容量和效能的大量需求。促使芯片制造商扩大NAND快闪存储器的规模，力争在2030年底前实现 1,000 层 3D NAND。Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术是突破传统技术的大跃进。它以近乎完美的精度和控制来蚀刻深宽比50倍以上的储存通道，实现小于0.1%的蚀刻轮廓误差。这一突破显着提高了先进3D NAND的良率和整体效能，使芯片制造商能够在人工智能时代保持良好的竞争力。

Lam Cryo 3.0利用该公司独特的高功率局限电浆反应器、制程改善和远低于-0oC的温度，从而利用新型蚀刻化学制程。与科林研发最新的Vantex介电层系统的可扩展脉冲电浆技术结合时，蚀刻深度和轮廓控制显着增加。使用Lam Cryo 3.0技术，3D NAND制造商可以蚀刻深度高达10微米的储存通道，从顶部到底部的关键尺寸误差小于0.1%。

Lam Cryo 3.0进一步巩固了科林研发在晶圆制造蚀刻技术领域长达二十年的领先地位，其中包括七代3D NAND。科林研发于2019年将低温蚀刻产品投入量产。如今，在NAND生产中使用的超过7,500个科林研发HAR介电层蚀刻腔体中，已有近1,000个使用低温蚀刻技术。

Lam Cryo 3.0现以提供领先的存储器制造商使用。它是科林研发用于3D NAND制造的广泛蚀刻、沉积和清洗解决方案组合的最新成员。