SK海力士发布控温散热存储技术「iHBM」 助力提升AI系统效率

SK海力士2026年5月26日宣布，公司发布「iHBM」技术。该技术通过在HBM封装内整合一体化冷却元件「ICE」，显着降低产品运行时的发热量。

伴随AI算力需求持续激增，HBM不断通过增加堆叠层数、提升运行速度来实现性能的反覆运算升级，同时也带来发热量攀升的难题。因此，有效控制连接HBM与GPU的D2D PHY区域的功率密度，正成为下一代HBM技术竞争力的核心。

iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件（ICE），构建专用热量排出通道（Heat Path）。相较传统方案，热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。

该技术在量产可行性方面也具备显着优势。产品采用经市场充分验证的先进MR-MUF晶圆级封装（WLP）制程，可实现稳定规模化量产。此外，该技术与客户现有系统级封装（SiP）环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署，从而有效降低了实际导入门槛。

SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高度整合、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。

SK海力士封装开发担当李康旭副社长表示：「iHBM结合存储器设计与先进封装技术，是实现产品最低发热的最优方案。公司前瞻布局，持续提供AI环境下客户所需的核心价值，进一步巩固自身在面向AI的存储器领域的领导地位。」