英飞凌采用全新EasyPACK C封装碳化矽电源模块 助力工业应用能效

英飞凌CoolSiC MOSFET Easy 2C .XT。英飞凌

工业领域中的快速直流电动汽车（EV）充电、百万瓦（MW）级充电、储能系统，以及不断电供应系统设备，往往需要在严苛环境条件与波动负载的运行模式下工作。这些应用对高能效、稳定的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。

为满足这些需求，全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了EasyPACK C系列产品 —EasyPACK 封装家族的新一代产品。

该全新封装系列的首款产品为碳化矽（SiC）电源模块，整合了英飞凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2技术，并采用了公司专有的.XT互连技术。透过降低静态损耗并提高可靠性，这些模块有助于满足工业应用领域日益成长的能源需求，并助力实现永续发展目标。

凭藉英飞凌的CoolSiC MOSFET G2技术，新产品较上一代CoolSiC MOSFET功率密度提升超过30%，使用寿命延长高达20倍。此外，该产品的导通电阻（RDS(on)）显着降低约25%。

不仅如此，全新的EasyPACK C封装设计理念进一步提高了功率密度与布局灵活性，为未来更高电压等级的产品设计奠定了基础。而英飞凌的.XT互连技术进一步延长了元件的使用寿命。

该系列模块可承受接面温度（Tvj(over)）高达200°C的超载开关工况。搭载全新PressFIT压接引脚，其电流承载能力提升一倍，同时降低PCB板的温度，并优化安装流程。

全新的塑封材质与矽凝胶设计，支持该模块在最高175°C的接面温度（Tvj(op)）下依然稳定运行。此外，该系列模块还具备一分钟内耐受3 kV交流电的隔离等级。这些特性共同助力该模块实现更卓越的系统能效、更长的使用寿命，以及更出色的耐高温性能。

采用EasyPACK C封装的全新模块提供多种拓扑结构，包括三电平（3-level）和H桥（H-bridge）配置，且同时提供含／不含热界面材料的两种版本。

首款采用EasyPACK C 封装且整合CoolSiC MOSFET G2技术的模块现已上市。英飞凌计划进一步拓展产品组合，以满足不同应用领域不断变化的需求。更多信息，敬请浏览官网。