英飞凌与NVIDIA合作开发800 VDC AI数据中心的氮化镓电源转换系统

英飞凌CEOJochen Hanebeck。英飞凌

英飞凌科技股份有限公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布深化与NVIDIA的合作，共同推动AI数据中心800 VDC供电架构的发展。此次于NVIDIA柏林GTC开发者大会期间发布的合作进展，聚焦于高压中继汇流排转换器（IBC）——AI数据中心供电链中最关键、技术要求也最严苛的电源转换级之一。

英飞凌的氮化镓（GaN）技术具备满足此环节需求的优势。此次合作延续双方于2025年5月首度宣布、并于同年10月进一步公布细节的共同开发工作；先前的合作重点为支持可维护、具备热插拔功能的800 VDC服务器机柜。

英飞凌CEOJochen Hanebeck表示：「AI正从根本上改变我们对电力基础设施的需求，而半导体是解决这项挑战的核心。我们与NVIDIA在800 V供电架构上的合作，充分展现深厚的半导体专业能力与AI时代所需的创新速度相结合所带来的潜力。以氮化镓为基础的系统解决方案，是下一代数据中心的重要推动力量。英飞凌很荣幸能凭藉从电网到处理器核心的技术布局，为AI时代的基础设施发展提供关键支持。」

在 庞大AI工作负载驱动用电需求的推动下，数据中心已采用中继汇流排架构：中继汇流排转换器将供应加速器板卡的主汇流排电压降至较低电压，使后级电源能有效产生AI处理器所需、电压控制精准的核心电源与负载点 (PoL) 电源。这种多级转换方式有助于降低配电损耗，同时满足电路板面积、散热限制及持续运作时间方面的严格要求。随着AI基础设施规模扩大，800 VDC正逐步导入AI数据中心，与现行的交流（AC）及较低电压直流（DC）架构并行，成为支持更高运算密度的另一种配电选择。

氮化镓相当适用于满足上述需求。与矽相比，氮化镓功率元件能以更低的损耗实现显着更快的切换速度，使IBC的切换频率最高可达1 MHz。这使得磁性元件及被动元件的尺寸得以大幅缩小，直接提升功率密度并降低电路板高度；对机柜空间日益有限的AI数据中心而言，这是一项关键优势。

同时，氮化镓的低导通损耗与低切换损耗有助于实现同级最佳的转换效率，即使单一机柜的功率持续朝百万瓦（MW）等级攀升，仍有助于控制电力转换损耗与发热量，减轻散热负担。这些特性使氮化镓成为目前能同时满足IBC对功率密度、效率及快速瞬态响应要求的首选半导体技术。英飞凌凭藉多年来在氮化镓开发与制造领域的领先实力，确立了这项技术优势。结合PSOC Control C3与EiceDRIVER产品系列，英飞凌已可提供完整的IBC系统解决方案。

英飞凌的氮化镓产品组合支持高压IBC所需的所有电压转换比例，包括800V转50V、800V转12V，以及 800V转6V，让数据中心业者能灵活最佳化机柜架构，而无须牺牲功率密度或效率。在兼顾高切换频率、高功率密度与高效率的设计中，氮化镓功率开关的优势得以充分发挥。

英飞凌在功率半导体领域的技术领先地位，奠基于广泛的内部（in-house）制造能力，以及多年积累的应用与系统专业。其产品组合涵盖采用矽、氮化镓（GaN）及碳化矽（SiC）技术的IBC解决方案，可支持客户多元的设计需求。

英飞凌与NVIDIA的合作涵盖整个数据中心的供电链。除了IBC，合作范围也包括双方于2025年10月宣布的供电路径保护解决方案，着重于热插拔控制器功能等安全与维护需求，为未来的服务器主机板导入800 VDC供电架构提供支持。

此次深化合作，进一步彰显英飞凌作为AI基础设施「从电网到处理器核心」功率半导体合作夥伴的地位，为完整供电链提供解决方案，涵盖面向电网的电源供应器，直到处理器端的负载点。