英飞凌碳化矽功率半导体成功应用于丰田bZ4X新车款

丰田新款bZ4X车型在车载充电器与DC/DC转换器中采用了英飞凌CoolSiC技术。丰田

英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布，全球最大汽车制造商丰田 （TOYOTA）已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）产品。这款碳化矽MOSFET整合在车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中，利用碳化矽材料低损耗、耐高温、耐高压的特性和优势，能够有效延长电动汽车的续航里程并缩短充电时间。

英飞凌执行副总裁暨汽车业务行销长Peter Schaefer表示：「全球最大的汽车制造商之一丰田选用了英飞凌的CoolSiC技术，对此我们深感自豪。碳化矽能够有效提升电动汽车的续航能力、效率和性能，因此也将在塑造未来交通出行的过程中发挥重要作用。英飞凌矢志创新，承诺零缺陷（zero-defect）品质，已做好充分准备，蓄势待发，以应对电动交通出行领域功率电子需求的快速成长。」

英飞凌CoolSiC MOSFET采用独特的沟槽闸极结构，可降低常规化（normalized）的导通电阻并缩减芯片尺寸，有效减少导通和开关损耗，进而提升车载电源系统的效率。此外，经过优化的寄生电容和闸极阈值电压支持单极闸极驱动，不仅有助于简化汽车电驱系统的驱动电路设计，也能为车载充电器和DC/DC转换器实现高密度、高可靠性的设计提供支持。