Tescan现身SEMICON China 2026展示半导体失效分析整合解决方案

在SEMICON China 2026展览期间，Tescan将展示针对半导体失效分析（Failure Analysis；FA）的整合解决方案。范畴涵盖非破坏性检测、缺陷显露、样品制备与分析及结构验证等关键环节，致力于协助客户提升缺陷定位效率与分析准确性，满足先进封装等应用场景日益严苛的分析需求。

随着先进封装、微机电系统（MEMS）及高整合度半导体元件持续发展，业界对于失效分析流程的速度、精度与跨平台协同能力提出了更高要求。因应此趋势，Tescan将于本届展会展示从「缺陷发现」到「归因验证」的完整分析工作流，帮助使用者优化实验室效率并加速问题解析进程。

在缺陷发现阶段，Tescan UniTOM HR 2支持mm级的非破坏性检测，并提供次微米级4D可视化高分辨率分析能力。其第二代系统结合「Dynamic to Detail Imaging」技术与 Panthera AI去噪演算法，能在快速扫描过程中进一步提升4D影像品质与缺陷识别效率。

在显露缺陷环节，Tescan FemtoChisel飞秒雷射加工平台可大幅加快关键区域的显露流程。在特定应用条件下，该平台可将样品制备速度提升最高5倍，并有助于获得更洁净、热影响区（HAZ）更低的横截面，减少后续聚焦离子束（FIB）重工的需求，进而提升整体分析效率与结果可靠性。

在样品制备与分析环节，Tescan的Ga+（镓离子）聚焦离子束系统已升级至第二代离子镜筒Orage 2。在特定应用下，可将自动化穿透式电子显微镜（TEM）样品制备效率提升高达40%。

同时，Tescan SOLARIS X 2电浆体聚焦离子束扫描电子显微镜（Plasma FIB-SEM）可为先进IC封装、MEMS及显示器元件测试提供强力支持，用于TEM样品制备、截面切割、逐层剥离（Delayering）及原位（In-situ）纳米探针测试，协助实验室提升作业效率并减少人工干预。

在验证与关联分析阶段，Tescan透过STEM成像、EDS元素分布图（Mapping）及4D-STEM分析能力，帮助使用者更完整地理解材料结构与功能之间的关联。Tescan TENSOR作为高度自动化的分析型STEM平台，针对4D-STEM量测进行了优化，并整合旋进电子绕射（PED）技术，为制程开发与失效分析提供更完整的数据支持。

展览期间，Tescan将于慕尼黑上海电子生产设备展相关展区（E4-4590），于3月25日至26日举办系列现场技术短讲。来宾可从SEMICON China的Tescan摊位（T4-4446）前往E4馆参与下午场活动。Tescan诚挚邀请半导体制造与分析领域的专业人士莅临摊位，与技术团队面对面交流实际挑战与分析需求。