ROHM推出适用高性能AI服务器电源的全新MOSFET

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）针对企业级高性能服务器和AI服务器电源，推出实现业界顶级导通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET。

新产品共计3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）电路的「RS7E200BG（30V）」，以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的「RS7N200BH（80V）」和「RS7N160BH（80V）」。

随着高端数据处理技术的进步和数码化转型的加速，对数据中心服务器的需求不断增加。此外对具有高端计算能力的AI处理服务器需求亦呈现成长趋势，未来预计也将持续成长。

由于上述服务器需要24小时不间断运转（持续通电），因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻所造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生极大的影响。特别是在AC-DC转换电路中，其导通损耗占比较高，因此需要使用导通电阻低的MOSFET。

另外服务器亦配备热插拔功能，可以在通电状态下更换和维修内部的板卡和存储装置等，而在进行更换时，服务器内部会产生较大的突波电流。因此更大的安全工作区域范围（宽SOA范围）对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。

因此ROHM全新推出一款DFN5060-8S封装、实现业界顶级导通电阻和宽SOA范围的功率MOSFET，与传统封装形式相比，封装内部芯片的可用面积增加，非常有助提高服务器电源电路的效率和可靠性。

新产品采用了新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与传统HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的芯片可用面积增加了约65%。因此新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界顶级导通电阻，30V产品「RS7E200BG」的导通电阻仅为0.53mΩ（Typ.），80V产品「RS7N200BH」仅为1.7mΩ（Typ.），非常有助提高服务器电源电路的效率。

另外透过优化封装内部的夹片(Clip)形状设计，提高了散热性能，同时亦提高了有助确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品「RS7E200BG」，其SOA范围达70A以上（条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时），与传统HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界顶级SOA范围。

新产品已经暂以每月100万个的规模投入量产（样品价格：710日圆/个，未税）。前段制程的生产据点为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后段制程的生产据点为OSAT（泰国），并已开始透过电商平台销售。

ROHM计划在2025年内逐步实现量产可支持AI服务器热插拔控制器电路应用的功率MOSFET。今后ROHM将继续扩大产品阵容，为应用的高效运行和高可靠性贡献力量。