台湾应用晶体12寸碳化矽全自主开发突破 挑战AI先进封装散热新战场

TAC研发团队于长晶炉区与自主开发之12寸碳化矽晶锭合影。TAC

大立光电集团旗下碳化矽晶体与基板厂——台湾应用晶体股份有限公司（台湾应用晶体；TAC），9月2日于SEMICON Taiwan 2026期间宣布，其12寸（300mm）单晶碳化矽（SiC）晶体开发已达成关键里程碑，正式切入AI先进封装散热应用的新战场；同时发表8寸超低电阻（Ohmic-ULR）新产品，抢进800V  HVDC与固态变压器（SST）等高压电力市场。

以8寸技术为基础  12寸开发全程自主

TAC表示，12寸碳化矽晶体于2025年12月至2026年4月间，完全依循公司深耕多年、技术紮实的8寸长晶制程基础，由团队100%自主开发完成。此阶段成果已实现有效晶体厚度15mm以上，并在雷射切片（laser slicing）制程上达成高良率，展现公司在大尺寸碳化矽晶体品质控制与后段加工上的整合实力。

随着AI高效能运算对芯片散热需求急遽升高，碳化矽因其优异的高导热特性，被视为新时代先进封装的关键散热材料。TAC强调，12寸碳化矽的突破，使公司已具备切入AI芯片散热供应链技术条件。8寸完成预量产准备，超低电阻新品抢攻高压电力市场。

在8寸产品方面，TAC已完成预量产（pilot run）准备，并正积极与日系指标厂商展开逐步认证，稳步迈向规模化出货。

同时，TAC持续研发8寸超低电阻（Ohmic-ULR）新产品，电阻率低至5mΩ·cm。此一超低电阻特性可有效降低导通损耗、提升元件效率，特别适用于800V高压直流（HVDC）及固态变压器（Solid State Transformer；SST）等新兴高压电力应用市场，满足次时代电网、数据中心供电与电动车快充基础设施对高效率功率元件的严苛要求。

大立光电集团支持建构在地碳化矽强韧供应链

隶属大立光电集团的TAC，在集团资源支持下持续投入碳化矽晶体与基板研发，并透过跨国策略联盟与上下游夥伴合作，强化台湾本土碳化矽供应能量，为半导体与AI产业链的自主韧性奠定基础。