英飞凌CoolMOS 8为光宝科技数据中心应用树立最佳化的系统效能新标竿

英飞凌CoolMOS 8优化光宝科技的新一代技术在现有及未来服务器与数据中心应用设计中的表现。英飞凌

英飞凌科技股份有限公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）为电源管理解决方案领导厂商光宝科技股份有限公司（2301.tw）提供600 V CoolMOS 8高压超接面（SJ）MOSFET产品系列，实现了服务器应用的卓越效率和可靠性。600 V CoolMOS 8提供一体化解决方案，优化光宝科技的新一代技术在现有及未来服务器与数据中心应用设计中的表现。

英飞凌最新的600 V CoolMOS 8系列引领高压超接面MOSFET技术潮流，在技术与性价比方面树立了全球标准。这项技术不仅全面提升系统效能，更在多种应用中扮演降低碳排放的关键角色，例如充电器与变压器、太阳能与储能系统、电动车 （EV）充电基础设施及不断电系统 （UPS）等。

600 V CoolMOS 8 SJ专为提供高效率与可靠性而设计，完美契合光宝科技及英飞凌致力于提升服务器应用效能和整体拥有成本的承诺。

此外，CoolMOS 8的关键特色之一 「.XT互连技术」，使新一代产品特别适合传统型及AI服务器。.XT先进互连技术具备领先业界的散热能力，并藉由降低寄生电感和电阻提升电气效能。与前一代产品相比，CoolMOS 8 SJ MOSFET的闸极电荷降低了18%，同时具备业界最快的关断速度，其热效能更提升达14%至42%。

英飞凌电源系统事业线总经理Richard Kuncic表示：「我们的CoolMOS 8 SJ MOSFET在功率密度与效率方面达到一流的水准，这对于高效能服务器应用至关重要。CoolMOS 8产品系列提供的一体化解决方案简化了我们的产品组合，不仅使选型流程更为轻松，也减少了设计导入（design-in）的工作量。」

光宝科技云端基础设施系统与平台事业群总经理张坤松表示：「光宝科技很高兴能在我们的次时代服务器设计中采用英飞凌的CoolMOS 8产品系列。600 V CoolMOS 8 SJ的优异效率与可靠性，展现了我们致力于为客户提供尖端技术和高效能解决方案的承诺。」

600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列是一项「全方位MOSFET」（all in MOSFET）技术，适用于工业与消费性应用。凭藉于内建的整合式高速本体二极管，该系列可支持目标市场中各种主要电路拓扑，实现单一元件家族的广泛应用。

此技术可实现具成本效益的矽基解决方案，进一步强化英飞凌在高压宽能隙（WBG）技术领域的产品布局。该系列产品提供SMD-QDPAK、TOLL及ThinTOLL-8x8等封装选项。欲了解详细信息，请浏览官网。请点击此处阅读白皮书，深入了解英飞凌600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET能提供的优势。