盛美半导体设备电浆增强原子层沈积炉管设备通过初步验证
盛美半导体设备(NASDAQ:ACMR),作爲一家爲半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆制程解决方案的卓越供应商,宣布其2024年推出的Ultra Fn A电浆增强型原子层沈积炉管设备(PEALD)已初步通过中国大陆一家半导体客户的制程验证,正在进行最后优化和爲迈入量産做准备。盛美半导体设备还宣布,其于2022年推出的Ultra Fn A热原子层沈积炉设备(Thermal ALD)也已成功通过另一家领先的中国客户的制程验证,性能参数可以跟国际大厂竞争,甚至更胜一筹。
盛美半导体设备董事长王晖博士表示:「现代整合电路(IC)的制造过程,越来越依赖具有卓越阶梯覆盖率以及高质量的精准薄膜沈积技术。应对诸如氮化碳矽、氮化矽薄膜和高低介电常数薄膜等沈积材料所带来的复杂挑战,需要真正的创新,而ACM的研发团队凭借其先进的原子层沈积(ALD)平台和制程已逐步接近和完成这一目标。我们相信,盛美半导体设备的专有差异化设计方案能够解决先进3D结构制造中面临的难题。」
盛美半导体设备的Ultra Fn A ALD立式炉设备産品包括热原子层沈积(Thermal ALD)和电浆体增强原子层沈积(PEALD)两种配置,可执行硬掩模层、阻挡层、间隔层、侧壁保护层、介质填充等多种薄膜沈积任务,满足目标制程应用的各种需求。这两种配置均采用六单元系统,可批量处理多达100片300mm晶圆。该设备还包括四个装载端口系统(装载区可控制氧气浓度)、一个整合供气系统(IGS)和一个原位乾法清洗系统,所有设计均符合SEMI标准。
Ultra Fn A 电浆增强原子层沈积炉管设备
盛美半导体设备的Ultra Fn A PEALD设备当前应用沈积氮化矽(SiN)薄膜。该机具采用双层管设计以及气流平衡技术,能够显着提升晶圆内(WIW)和晶圆间(WTW)的均匀性。通过采用电浆增强技术,该设备还可有效降低器件的热预算。此外,通过微调前驱体在前置单元中的存储和释放量,能够达成控制器件的关键尺寸和图案轮廓。
Ultra Fn A热模式原子层沈积炉管设备
盛美半导体设备的Ultra Fn A碳氮化矽(SiCN)热模式原子层沈积炉管设备已通过国内领先的整合电路制造客户的验证。该设备能够实现超薄、无空隙的薄膜沈积,并且能够精确控制薄膜厚度,达到原子级别的沈积精度。同时,该设备还能够实现精确的碳掺杂,从而提升薄膜的硬度和耐腐蚀性。此外,该设备还具有内置的乾法清洁功能,能够确保颗粒的稳定性。
盛美半导体设备
盛美半导体设备从事对先进IC制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备、前道涂胶显影设备、PECVD设备和面板级先进封装设备的开发、制造和销售,并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的制程解决方案,来提升他们多个步骤的生产效率和产品良率。