英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V重新定义AI服务器电源功率密度和效率

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V重新定义AI服务器电源的功率密度和效率。英飞凌

随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高端GPU的能源需求激增。到2030年，每颗高端GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份有限公司开发电压650V以下的SiC MOSFET产品。基于2024年早先发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，英飞凌再推出全新CoolSiC MOSFET 400V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC／DC级开发，是对英飞凌近期公布的PSU路线图的补充。该系列元件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频马达控制、工业和辅助电源供应（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。

英飞凌电源系统业务线负责人Richard Kuncic表示：「英飞凌提供的丰富高性能 MOSFET 和GaN 晶体管产品组合，能够满足 AI 服务器电源对设计和空间的严苛刻要求。我们致力于透过CoolSiC MOSFET 400 V G2等先进产品为客户提供支持，推动先进AI应用实现最高能效。」

与既有650V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的导通和开关损耗。这款AI服务器电源供应器的AC／DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W／in³ 以上，并且效率达到99.5%，较使用650V SiC MOSFET 的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在 DC／DC级采用了CoolGaN晶体管，其系统解决方案得以完善。透过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。

全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS（on）级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL和 D²PAK-7封装以及 .XT封装互连技术。在Tvj = 25°C时，其汲极-源极击穿电压为400V，因此非常适合用于 2级和 3级转换器以及同步整流。这些元件在严苛的开关条件下具有很高的稳健性，并且通过了100%的雪崩测试。高度稳健的CoolSiC技术与 .XT互连技术相结合，使这些半导体元件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态，并且凭藉连接技术和低正 RDS（on）温度系数，即便在接面温度较高的工作条件下，也能发挥出色的性能。

CoolSiC MOSFET 400V产品组合的工程样品现已发布，并将于2024年10月开始量产。更多信息，敬请浏览CoolSiC飞凌官网。如欲进一步了解英飞凌SiC、GaN和Si的AI电源供应器解决方案，敬请浏览官网网站。