英飞凌推出新碳化矽技术CoolSiC MOSFET G2适用于低碳化高效系统

英飞凌推出新一代碳化矽技术CoolSiC MOSFET G2适用于推动低碳化的高性能系统。英飞凌

英飞凌科技股份有限公司推出新一代碳化矽（SiC）MOSFET沟槽式技术，开启电源系统和能源转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保品质和可靠性的前提下，将MOSFET的主要效能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。

CoolSiC MOSFET Generation 2（G2）技术继续发挥碳化矽的效能优势，透过降低能量损耗来提高电源转换过程中的效率。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、马达驱动和工业电源等功率半导体应用领域的客户带来了非常大的优势。与前几代产品相比，采用CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站最高可减少10% 的功率损耗，并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC G2元件的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在再生能源领域，采用CoolSiC G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低每瓦成本。

英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士表示：「目前的大趋势是采用高效的新方式来产生、传输和消耗能源。英飞凌凭藉CoolSiC MOSFET G2将碳化矽的效能提升到了新的水准。新一代碳化矽技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更精简、效能更可靠，且效率更高的系统，在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。这充分体现了英飞凌坚持不懈持续推动工业、消费、汽车领域的低碳化和数码化的创新。」

英飞凌开创性的 CoolSiC MOSFET沟槽式技术推动了高效能CoolSiC G2解决方案的发展，实现了更加优化的设计选择，与目前的 SiC MOSFET 技术相比，具有更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的.XT封装技术，英飞凌以更高的导热性、更优的封装控制以及更出色的效能，进一步提升了基于CoolSiC G2 的设计潜力。

英飞凌掌握了矽、碳化矽和氮化镓（GaN）领域的所有的关键功率技术，可提供灵活的设计和领先的应用知识，满足现代设计的期待和需求。在推动低碳化的过程中，基于碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）等宽能隙（WBG）材料的创新半导体已成为能源高效利用的关键。更多相关信息欢迎浏览英飞凌官网。