新思科技针对台积电N6RF制程推出最新的RF设计流程

为因应日益复杂的RFIC设计要求，新思科技(Synopsys)宣布针对台积电N6RF制程推出最新的RF设计流程，此乃新思科技与安矽斯科技(Ansys)和是德科技(Keysight)共同开发的最先进RF CMOS技术，可大幅提升效能与功耗效率。该流程可协助其共同客户实现5G芯片的功耗与效能优化，同时加速设计效率，从而加快产品的上市时程。

台积电设计建构管理处副总经理Suk Lee表示，与新思科技近期的合作着重于新一代无线系统的挑战，让设计人员能够为越来越互联的世界提供更好的连接、更高的带宽、更低的延迟(latency)以及更广的覆盖范围(coverage)。有了来自新思科技、安矽斯科技与是德科技紧密整合的高品质解决方案，台积电全新的针对N6RF制程的设计参考流程提供了一个现代且开放的方法，能提升复杂IC开发的生产效率。

由于互联世界的需求，用于收发器(transceiver)和RF前端元件(front-end component)等无线数据传输系统的RFIC 变得日趋复杂。这些新一代无线系统有望在更多连接的装置上提供更高的带宽、更低的延迟以及更广的覆盖范围。为了确保RFIC能够满足这些要求，设计人员必须准确地衡量RF的效能、频谱、波长和带宽等参数。

新的RF设计参考流程采用领先业界的电路模拟、布局生产效率以及精确的电磁 (EM)建模和电子迁移/IR压降分析，可缩短设计周转时间(turnaround time)。该流程包括了新思科技的Custom Compiler设计和布局产品、PrimeSim电路模拟产品、StarRC寄生萃取签核产品与IC Validator物理验证产品，以及安矽斯科技的VeloceRF电感元件与传输线合成产品、先进的纳米电磁(EM)分析产品RaptorX和RaptorH，以及Totem-SC，此外还有是德科技用于EM模拟的PathWave RFPro。

新思科技工程副总裁Aveek Sarkar说道，为了实现 5G 设计的关键差异化优势，新思科技持续带来强大的RF设计解决方案，其整合了电磁合成、萃取、设计、布局、签核技术和模拟工作流程。由于我们与台积电的深入合作，加上与安矽斯科技和是德科技的坚实关系，因此客户得以使用新思定制化设计系列的先进功能，运用台积电针对5G应用的先进N6RF技术，提高生产力并实现矽晶成功。

是德科技副总裁暨PathWave软件解决方案总经理Niels Fache表示，RF设计的客户可受惠于台积电参考流程中新思Custom Compiler与是德PathWave RFPro的交互操作性。在设计过程中将电磁共同模拟(co-simulation)向左迁移，可让RF电路设计人员针对5G和WiFi 6/6E应用的先进芯片和多技术模块中的寄生效应(parasitic effects)进行优化。如此一来在模拟工作流程的环节上可省下数天甚至数周的时间，同时降低产品开发周期中重新投片(re-spin)的高昂风险。我们与新思科技和台积公司的合作提供RF客户所需的设计工具和先进的制程技术，能确保高效能并一次完成矽晶设计(first-pass success)。」

安矽斯科技研发部副总裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示，安矽斯科技很高兴能与新思科技和台积电合作，一同开发用于RFIC设计的先进参考流程。5G和6G设计的需求成长带动了芯片的高度复杂性，伴随纳米节点的先进制程效果，使RFIC设计人员面临着巨大的挑战。在EM和EMIR分析中精准地进行先进制程效果的建模对于建立一次完成矽晶设计(从DC至数十GHz运作范围)非常重要。安矽斯的VeloceRF、RaptorX、Exalto和Totem-SC等工具可与新思的Custom Complier平台无缝运作，能够处理最具挑战性的设计，并能针对所有先进制程效果进行建模。这些工具能为RF设计模块的设计、优化和验证提供直观且易于使用的流程。