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Microchip推出业界领先的3.3 kV碳化矽功率元件

  • 赖品如台北

Microchip推出业界领先3.3 kV碳化矽功率元件应用图。Microchip
Microchip推出业界领先3.3 kV碳化矽功率元件应用图。Microchip

牵引动力装置(TPU;traction power units)、辅助动力装置(APU;auxiliary power units)、固态变压器(SST;solid-state transformers)、工业马达驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压交换技术来提高效率和可靠性,并减小系统尺寸和重量。Microchip 宣布扩大其碳化矽产品组合,推出业界最低导通电阻【RDS(on)】3.3 kV碳化矽MOSFET和市场上最高额定电流的碳化矽SBD,让设计人员可以充分利用其耐固性、可靠性和效能。Microchip扩大的碳化矽产品组合为电气化交通、再生能源、航空航太和工业应用的设计人员提供了一套可以开发出更小、更轻和更高效的解决方案的工具。

许多矽基设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。虽然高压碳化矽为实现这些目标提供了一种有效的替代方案,但到目前为止,3.3kV碳化矽功率元件的市场供应是有限的。Microchip的3.3 kV MOSFET和SBD进一步完善了该公司包括700V、1200V和1700V裸晶、分离元件、模块和数码栅极驱动器在内的碳化矽综合解决方案组合。

Microchip的3.3 kV碳化矽功率元件包括业界最低导通电阻为25 mOhm的MOSFET和业界最高额定电流为90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸晶或封装形式。这些更强的效能水准能协助设计人员简化设计,创建功率更高的系统,并使用更少的并联元件来实现更小、更轻和更高效的电源解决方案。Microchip分离产品业务部副总裁Leon Gross表示:「我们专注于开发能为客户提供快速实现系统创新能力的解决方案,并协助其最终产品更快的取得竞争优势。我们全新的3.3 kV碳化矽功率产品系列能够让客户轻松、快速而充满信心地采用高压碳化矽,与矽基设计相比,这一振奋人心的技术带来的诸多优势能让客户从中受益。」

在过去三年里,Microchip已经发布了数百个碳化矽功率元件和解决方案,确保设计人员能够找到满足其应用需求的合适的电压、电流和封装。Microchip在设计所有碳化矽MOSFET和SBD时都把客户的信任放在心中,提供业界领先的产品耐固性和可靠性。公司遵循由客户决定何时停产的惯例,只要客户需要,Microchip就能继续生产这些产品。客户可以将Microchip 的碳化矽产品与公司的其他元件相结合,包括8位元、16位元和32位元微控制器(MCU)、电源管理设备、类比传感器、触摸和手势控制器以及无线连接解决方案,进而以较低的总体系统成本构建完整的系统解决方案。