ROHM推出600V耐压SuperJunction MOSFET「R60xxVNx系列」
- 黎思慧/台北
半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)在600V耐压SuperJunction MOSFET「PrestoMOSTM」产品系列中,新增了「R60xxVNx系列」7款机型,非常适用于电动车充电桩、服务器、基站等大功率工控装置的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的大型生活家电的马达驱动。
近年来,随着全球功率消耗量的增加,如何提升使用效率已成为亟待解决的课题,在这种背景下,电动车充电桩、服务器和基站等工控装置,以及空调等生活家电的效率不断提升,因此也开始要求所使用的功率半导体可进一步降低功耗。针对此种市场需求,ROHM对现有PrestoMOS产品进行了改良,具有比同等级市场竞品更低的导通电阻、有助进一步降低应用产品功耗。
本次研发的新系列产品采用了ROHM全新制程,实现业界最快的反向恢复时间(trr),同时,与反向恢复时间难以兼顾的导通电阻最多也可以比同等级市场竞品低20%。在反向恢复时间方面,延续PrestoMOS系列产品的105ns(奈秒),为业界最快(与TO-220FM同等级封装产品相比)反向恢复时间,开关时的功耗比同等级市场竞品降低约17%。基于这二大特点,与同等级市场竞品相比,新系列将可大大提高应用产品的效率。
除了上述系列产品之外,作为标准型600V耐压SuperJunction MOSFET,ROHM还研发了具有更低导通电阻的「R60xxYNx系列」,本次也新增二款机型,客户可以根据应用需求选择合适的产品群。
新产品已于2022年1月开始暂以每月10万个的规模投入量产。另外,也已开始透过电商平台销售。今后,ROHM将继续研发抗噪性能更出色的新系列产品,持续扩大SuperJunction MOSFET系列产品阵容,透过降低各种应用产品功耗,助力解决环保等社会问题。产品有两大特点如下:
1.实现业界最快反向恢复时间,以及业界超低导通电阻
PrestoMOS「R60xxVNx系列」透过ROHM新制程,降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间存在着难以兼顾的关系,导通电阻与同等级市场竞品相比,最多可减少20%(与TO-220FM同等级封装产品相比),有助进一步降低各种应用产品功耗。
2. 具业界最快反向恢复时间,开关损耗更低
通常,当制程向更微细的方向发展时,导通电阻等基本性能会得到改善,但与其难以兼顾的反向恢复时间则会变差。而ROHM的PrestoMOS「R60xxVNx系列」采用自家技术,实现了比同等级市场竞品更低的导通电阻的同时,还实现了业界最快105ns(奈秒)反向恢复时间(与TO-220FM同等级封装产品比较)。由于抑制了多余浪费的电流量,因此与同等级市场竞品相比,开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下,包括「R60xxYNx系列」在内的标准型,且相同导通电阻产品的反向恢复时间约为300~400ns(奈秒)。
由于上述二大特点,在搭载了追求高效率的同步整流升压电路的评估板上,与导通电阻60mΩ级的产品进行比较时,「R60xxVNx系列」表现出比同等级市场竞品更出色的效率,非常有助降低太阳光电逆变器和不断电系统(UPS)等应用功耗。
应用范例包含电动车充电桩、服务器、基站、太阳光电逆变器(功率调节器)、不断电系统(UPS)等、空调等生活家电及其他各类型装置的马达驱动和电源电路等。